[发明专利]电子照相感光体、处理盒及成像装置有效

专利信息
申请号: 201310048304.0 申请日: 2013-02-06
公开(公告)号: CN103376674B 公开(公告)日: 2018-11-02
发明(设计)人: 齐藤阳平;坂东浩二;山本真也;岩崎真宏;山下敬之;是永次郎;山野裕子 申请(专利权)人: 富士施乐株式会社
主分类号: G03G5/047 分类号: G03G5/047;G03G5/06;G03G21/18;G03G15/00
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 丁业平;常海涛
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种电子照相感光体、处理盒以及成像装置,其中该电子照相感光体包括:导电基体;以及设置在导电基体上的单层感光层,该单层感光层含有粘结剂树脂、电荷发生材料、空穴传输材料和电子传输材料,其中,正充电时的半衰减曝光量小于或等于0.18μJ/cm2,并且负充电时的半衰减曝光量为正充电时的半衰减曝光量的2倍至12倍。通过使用本发明的电子照相感光体,重像得到了抑制。
搜索关键词: 电子 照相 感光 处理 成像 装置
【主权项】:
1.一种电子照相感光体,包括:导电基体;以及单层感光层,其设置在所述导电基体上,并且含有粘结剂树脂、电荷发生材料、空穴传输材料和电子传输材料,其中所述电荷发生材料为V型羟基镓酞菁颜料,并且相对于所述粘结剂树脂的含量,所述电荷发生材料的含量为3重量%至12重量%,其中,正充电时的半衰减曝光量小于或等于0.18μJ/cm1,并且负充电时的半衰减曝光量为所述正充电时的半衰减曝光量的2倍至12倍。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士施乐株式会社,未经富士施乐株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310048304.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top