[发明专利]电子照相感光体、处理盒及成像装置有效
申请号: | 201310048304.0 | 申请日: | 2013-02-06 |
公开(公告)号: | CN103376674B | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 齐藤阳平;坂东浩二;山本真也;岩崎真宏;山下敬之;是永次郎;山野裕子 | 申请(专利权)人: | 富士施乐株式会社 |
主分类号: | G03G5/047 | 分类号: | G03G5/047;G03G5/06;G03G21/18;G03G15/00 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 丁业平;常海涛 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 照相 感光 处理 成像 装置 | ||
1.一种电子照相感光体,包括:
导电基体;以及
单层感光层,其设置在所述导电基体上,并且含有粘结剂树脂、电荷发生材料、空穴传输材料和电子传输材料,
其中所述电荷发生材料为V型羟基镓酞菁颜料,并且相对于所述粘结剂树脂的含量,所述电荷发生材料的含量为3重量%至12重量%,
其中,正充电时的半衰减曝光量小于或等于0.18μJ/cm1,并且
负充电时的半衰减曝光量为所述正充电时的半衰减曝光量的2倍至12倍。
2.根据权利要求1所述的电子照相感光体,
其中,所述正充电时的半衰减曝光量小于或等于0.14μJ/cm2。
3.根据权利要求1所述的电子照相感光体,
其中,所述正充电时的半衰减曝光量小于或等于0.11μJ/cm2。
4.根据权利要求1所述的电子照相感光体,
其中,所述负充电时的半衰减曝光量是所述正充电时的半衰减曝光量的4倍至10倍。
5.根据权利要求1所述的电子照相感光体,
其中,所述负充电时的半衰减曝光量是所述正充电时的半衰减曝光量的5倍至9倍。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的电子照相感光体,
其中,所述空穴材料含有由式(1)表示的化合物:
式(1)
其中,在式(1)中,R1、R2、R3、R4、R5和R6各自独立地表示氢原子、低级烷基、烷氧基、苯氧基、卤素原子、或者苯基,该苯基可以具有选自低级烷基、烷氧基和卤素原子的取代基;m和n各自独立地表示0或1。
7.根据权利要求1至6中任意一项所述的电子照相感光体
其中,所述电子传输材料含有由式(2)表示的化合物:
其中,在式(2)中,R11、R12、R13、R14、R15、R16和R17各自独立地表示氢原子、卤素原子、烷基、烷氧基或芳基;并且R18表示烷基。
8.一种处理盒,其可从成像装置上拆卸下来,包括:
根据权利要求1至7中任意一项所述的电子照相感光体。
9.一种成像装置,包括:
根据权利要求1至7中任意一项所述的电子照相感光体;
充电单元,其对所述电子照相感光体进行充电;
静电潜像形成单元,其在已充电的所述电子照相感光体上形成静电潜像;
显影单元,其容纳有包含调色剂的显影剂,并利用该显影剂将在所述电子照相感光体上形成的所述静电潜像显影,以形成调色剂图像;以及
转印单元,其将所述调色剂图像转印至转印介质。
10.根据权利要求9所述的成像装置,
其中,在位于所述充电单元的沿着所述电子照相感光体的驱动方向的下游且位于所述转印单元的沿着所述电子照相感光体的驱动方向的上游的区域,所述成像装置不包括对所述电子照相感光体的外周面进行擦除的擦除单元。
11.根据权利要求9或10所述的成像装置,
其中,所述充电单元包括不与所述电子照相感光体的表面接触而对其进行充电的充电器。
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