[发明专利]电子照相感光体、处理盒及成像装置

说明书

本发明提供了一种电子照相感光体、处理盒以及成像装置，其中该电子照相感光体包括：导电基体；以及设置在导电基体上的单层感光层，该单层感光层含有粘结剂树脂、电荷发生材料、空穴传输材料和电子传输材料，其中，正充电时的半衰减曝光量小于或等于0.18μJ/cm²，并且负充电时的半衰减曝光量为正充电时的半衰减曝光量的2倍至12倍。通过使用本发明的电子照相感光体，重像得到了抑制。

技术领域

本发明涉及电子照相感光体、处理盒及成像装置。

背景技术

在相关领域的电子照相成像装置中，通过充电、曝光、显影和转印工序将形成于电子照相感光体的表面上的调色剂图像转印至记录介质。

作为用于这种电子照相成像装置中的电子照相感光体的感光层，例如，已知使用了单层感光层的构造。

例如，公开了这样一种电子照相感光体，其至少包括导电性支持体以及形成于该导电性支持体上的感光层，其中，感光层含有电荷发生材料和特定的电荷传输材料，并具有双极性的感光度（bipolar light sensitivity）；E1/2（负）与E1/2（正）的比值（各极性的感光度E1/2（正）与E1/2（负）的比值）为0.5至3.0（例如，参见日本专利文献JP-A-2007-108671（专利文献1））。

另外，公开了这样一种电子照相感光体，其包括导电基体和形成于该导电基体上的感光层，其中，感光层含有作为电荷发生材料的酞菁化合物；并且正充电和负充电时的半衰减曝光量中较大的半衰减曝光量是另一半衰减曝光量的4倍以下（例如，参见日本专利No.3532808（专利文献2））。

此外，公开了一种单层电子照相感光体，其包括导电基体和形成于该导电基体上的感光层，其中，感光层的粘结剂树脂中含有作为电荷发生材料的酞菁化合物、空穴传输材料和电子传输材料；相对于粘结剂树脂的重量，酞菁化合物的含量为0.1重量%至4重量%；感光层的厚度为10μm至35μm；并且在曝光波长为780nm以及曝光能量为1.0μJ/cm²的条件下经过500毫秒后进行测量时，正极性和负极性的感光度之间差值的绝对值小于或等于500V（例如，参见日本专利No.3748452（专利文献3））。

另外，公开了一种带正电的单层型电子照相感光体，其包括导电性支持体和设置于该导电性支持体上的感光层，其中，感光层含有电荷发生材料、空穴传输材料、电子传输材料和粘结剂树脂。在电子照相感光体中，在带电电位的绝对值为800V、曝光波长为780nm、曝光能量为1.0μJ/cm²、曝光时间为500毫秒的条件下曝光并进行测量时，正极性和负极性的感光度的绝对值均小于或等于150V，且正极性的感光度的绝对值大于负极性的感光度的绝对值（例如，参见日本专利文献JP-A-2010-277042（专利文献4））。

发明内容

本发明的目的是提供一种电子照相感光体，其中在正充电中在高感光度状态下的重像得到抑制。

根据本发明的第一方面，提供一种电子照相感光体，其包括：导电基体；以及设置于该导电基体上的单层感光层，该单层感光层含有粘结剂树脂、电荷发生材料、空穴传输材料和电子传输材料，其中，正充电时的半衰减曝光量小于或等于0.18μJ/cm²，并且负充电时的半衰减曝光量为所述正充电时的半衰减曝光量的2倍至12倍。

根据本发明的第二方面，在根据第一方面所述的电子照相感光体中，所述正充电时的半衰减曝光量可以小于或等于0.14μJ/cm²。

根据本发明的第三方面，在根据第一方面所述的电子照相感光体中，所述正充电时的半衰减曝光量可以小于或等于0.11μJ/cm²。

根据本发明的第四方面，在根据第一方面所述的电子照相感光体中，所述负充电时的半衰减曝光量可以是正充电时的半衰减曝光量的4倍至10倍。