[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201310042625.X 申请日: 2013-02-04
公开(公告)号: CN103972371B 公开(公告)日: 2017-02-08
发明(设计)人: 林厚德;陈滨全;陈隆欣 申请(专利权)人: 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司
主分类号: H01L33/60 分类号: H01L33/60;H01L33/38
代理公司: 深圳市鼎言知识产权代理有限公司44311 代理人: 曾昭毅
地址: 518109 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种发光二极管封装结构的制造方法,包括如下步骤提供引线架,多列第一电极和第二电极交错排列于引线架上,同列第一电极和第二电极分别通过连接条串接,第一电极和第二电极的顶角形成缺口;在相邻连接条之间形成围绕第一电极和第二电极且具有容置槽的反射杯,第一电极和第二电极对应缺口的一端分别自反射杯的两侧凸出;在容置槽内设置发光二极管芯片并电连接第一电极和第二电极;在容置槽内形成覆盖发光二极管芯片的封装层;横向切割反射杯和连接条。本发明还提供一种由该方法制成的发光二极管封装结构。本发明中第一电极和第二电极嵌置于反射杯内,第一电极和第二电极对应缺口的一端露于反射杯外,这有效提升了发光二极管封装结构的密合度。
搜索关键词: 发光二极管 封装 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
一种发光二极管封装结构的制造方法,包括以下步骤:提供装设有多列第一电极和第二电极的引线架,所述第一电极、第二电极交错排列于引线架上,同列中的各第一电极通过第一连接条纵向串接,同列中的各第二电极通过第二连接条纵向串接,第一电极邻近第一连接条的至少一顶角处形成一第一缺口,第二电极邻近第二连接条的至少一顶角处形成一第二缺口,所述第一缺口由第一电极的相邻两侧面同时朝向第一电极的内部凹陷形成,第一连接条自第一电极相对的两侧分别朝向相邻的第一电极延伸而出,所述第二缺口由第二电极的相邻两侧面同时朝向第二电极的内部凹陷形成,第二连接条自第二电极相对的两侧分别朝向相邻的第二电极延伸而出,所述第一连接条与第一缺口邻接设置,所述第二连接条与第二缺口邻接设置,所述第一连接条对应第一缺口形成有一第三缺口,该第三缺口与第一缺口邻接并共同围设出一第一收容槽,所述第二连接条对应第二缺口形成有一第四缺口,该第四缺口与第二缺口邻接并共同围设出一第二收容槽;在引线架上相邻第一连接条和第二连接条之间形成围绕第一电极和第二电极的反射杯,所述反射杯具有容纳发光二极管芯片的容置槽,所述第一电极对应第一缺口的一端和第二电极对应第二缺口的一端分别自反射杯的相对两侧凸伸出反射杯之外;在容置槽内设置发光二极管芯片并电连接所述第一电极和第二电极;在容置槽内形成覆盖发光二极管芯片的封装层;以及横向切割反射杯以及连接条形成若干独立的发光二极管封装结构。
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