[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体发光元件，特别涉及一种发光二极管封装结构及其制造方法。

背景技术

发光二极管（light emitting diode，LED）作为一种高效的发光源，具有环保、省电、寿命长等诸多特点已经被广泛的运用于各种领域。

在应用到具体领域中之前，发光二极管还需要进行封装，以保护发光二极管芯片，从而获得较高的发光效率及较长的使用寿命。

一般的发光二极管封装结构通常先成型反射杯，在反射杯成型后再将电极弯折贴设于反射杯的底面及侧面上。然而，这种方法制成的发光二极管封装结构的密合度不佳，封装结构中的电极与反射杯之间结合不紧密，电极在使用过程中容易松动或脱落。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种有效提升发光二极管封装结构密合度的制造方法及由该制造方法制造的发光二极管封装结构。

一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤：提供装设有多列第一电极和第二电极的引线架，所述第一电极、第二电极交错排列于引线架上，同列中的各第一电极通过第一连接条纵向串接，同列中的各第二电极通过第二连接条纵向串接，第一电极邻近第一连接条的至少一顶角形成一第一缺口，第二电极邻近第二连接条的至少一顶角形成一第二缺口；在引线架上相邻第一连接条和第二连接条之间形成围绕第一电极和第二电极的反射杯，所述反射杯具有容纳发光二极管芯片的容置槽，所述第一电极对应第一缺口的一端和第二电极对应第二缺口的一端分别自反射杯的相对两侧凸出于反射杯之外；在容置槽内设置发光二极管芯片并电连接所述第一电极和第二电极；在容置槽内形成覆盖发光二极管芯片的封装层；以及横向切割反射杯以及连接条形成多个独立的发光二极管封装结构。

一种发光二极管封装结构，该发光二极管封装结构由以下的制造方法制成，该发光二极管封装结构的制造方法包括以下步骤：提供装设有多列第一电极和第二电极的引线架，所述第一电极、第二电极交错排列于引线架上，同列中的各第一电极通过第一连接条纵向串接，同列中的各第二电极通过第二连接条纵向串接，第一电极邻近第一连接条的至少一顶角形成一第一缺口，第二电极邻近第二连接条的至少一顶角形成一第二缺口；在引线架上相邻第一连接条和第二连接条之间形成围绕第一电极和第二电极的反射杯，所述反射杯具有容纳发光二极管芯片的容置槽，所述第一电极对应第一缺口的一端和第二电极对应第二缺口的一端分别自反射杯的相对两侧凸出于反射杯之外；在容置槽内设置发光二极管芯片并电连接所述第一电极和第二电极；在容置槽内形成覆盖发光二极管芯片的封装层；以及横向切割反射杯以及连接条形成多个独立的发光二极管封装结构。

与现有技术相比，本发明的发光二极管封装结构的第一电极和第二电极嵌置于反射杯内，而第一电极对应第一缺口的端部和第二电极对应第二缺口的端部均外露于反射杯的相对两侧，这样能够有效地提升发光二极管封装结构的密合度。

下面参照附图，结合具体实施例对本发明作进一步的描述。

附图说明

图1是本发明一实施例的发光二极管封装结构的制造方法流程图。

图2是图1中所示发光二极管封装结构的制造方法步骤S101所得的引线架的俯视示意图。

图3是图2中所示引线架中第一电极和第二电极的俯视示意图。

图4是图3中所示第一电极和第二电极沿IV-IV线的剖面示意图。

图5是图3中所示第一电极和第二电极沿V-V线的剖面示意图。

图6是图3中所示第一电极和第二电极的仰视示意图。

图7是图1中引线架放置于模具内的剖面示意图。

图8是图1中引线架放置于模具内的仰视示意图，其中下模具的底部被隐藏。

图9是图1中所示发光二极管封装结构的制造方法步骤S102所得的封装元件的俯视示意图。

图10是图9所示封装元件中第一电极和第二电极的放大示意图。

图11是图10所示第一电极和第二电极沿XI-XI线的剖面示意图。

图12是图10所示第一电极和第二电极的仰视示意图。

图13是图1中所示发光二极管封装结构的制造方法步骤S105所得的发光二极管封装结构的俯视示意图。

图14是图13中所示发光二极管封装结构沿XIV-XIV线的剖面示意图。

图15是图13中所示发光二极管封装结构的仰视示意图。

主要元件符号说明