[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201310042625.X 申请日: 2013-02-04
公开(公告)号: CN103972371B 公开(公告)日: 2017-02-08
发明(设计)人: 林厚德;陈滨全;陈隆欣 申请(专利权)人: 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司
主分类号: H01L33/60 分类号: H01L33/60;H01L33/38
代理公司: 深圳市鼎言知识产权代理有限公司44311 代理人: 曾昭毅
地址: 518109 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 封装 结构 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种发光二极管封装结构的制造方法,包括以下步骤:

提供装设有多列第一电极和第二电极的引线架,所述第一电极、第二电极交错排列于引线架上,同列中的各第一电极通过第一连接条纵向串接,同列中的各第二电极通过第二连接条纵向串接,第一电极邻近第一连接条的至少一顶角处形成一第一缺口,第二电极邻近第二连接条的至少一顶角处形成一第二缺口;

在引线架上相邻第一连接条和第二连接条之间形成围绕第一电极和第二电极的反射杯,所述反射杯具有容纳发光二极管芯片的容置槽,所述第一电极对应第一缺口的一端和第二电极对应第二缺口的一端分别自反射杯的相对两侧凸伸出反射杯之外;

在容置槽内设置发光二极管芯片并电连接所述第一电极和第二电极;

在容置槽内形成覆盖发光二极管芯片的封装层;以及

横向切割反射杯以及连接条形成若干独立的发光二极管封装结构。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:所述第一缺口由第一电极的相邻两侧面同时朝向第一电极的内部凹陷形成,第一连接条自第一电极相对的两侧分别朝向相邻的第一电极延伸而出,所述第二缺口由第二电极的相邻两侧面同时朝向第二电极的内部凹陷形成,第二连接条自第二电极相对的两侧分别朝向相邻的第二电极延伸而出。

3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:所述第一连接条与第一缺口邻接设置,所述第二连接条与第二缺口邻接设置。

4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:所述第一连接条对应第一缺口形成有一第三缺口,该第三缺口与第一缺口邻接并共同围设出一第一收容槽,所述第二连接条对应第二缺口形成有一第四缺口,该第四缺口与第二缺口邻接并共同围设出一第二收容槽。

5.如权利要求2所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:所述第一电极邻近第一连接条的相邻顶角形成一对第一缺口,该对第一缺口位于第一连接条的同侧,所述第二电极邻近第二连接条的相邻顶角形成一对第二缺口,该对第二缺口位于第二连接条的同侧。

6.如权利要求1所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:所述第一电极和第二电极均包括相对设置的上表面和下表面,所述第一电极对应第一缺口的端部自第一电极的下表面向下凸出延伸形成一第一接引电极,所述第二电极对应第二缺口的端部自第二电极的下表面向下凸出延伸形成一第二接引电极,在反射杯成型后第一接引电极和第二接引电极均外露于反射杯的相对两侧。

7.如权利要求6所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:所述容置槽自第一电极的上表面和第二电极的上表面同时向上延伸贯穿所述反射杯,第一电极和第二电极的部分上表面外露于容置槽的底部。

8.如权利要求7所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:所述第一电极和第二电极的下表面分别向下凸出延伸形成第一增厚部和第二增厚部,所述第一增厚部和第二增厚部与容置槽正对设置,在反射杯成型后第一增厚部远离第一电极的外表面和第二增厚部远离第二电极的外表面均外露于反射杯外。

9.如权利要求6所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:所述第一连接条和第二连接条均包括相对设置的上表面和下表面,所述第一连接条的上表面与第一电极的上表面平齐,所述连接条的下表面远离第一电极并与第一接引电极的底面平齐。

10.如权利要求9所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:所述反射杯成型于一模具之中,该模具包括相对设置的上模具和下模具,该上模具和下模具共同围设出收容引线架的密闭空间,所述反射杯通过注塑的方式一体成型于模具内。

11.如权利要求10所述的发光二极管封装结构的制造方法,其特征在于:所述模具还分别对应第一缺口和第二缺口设置多个阻挡件,所述阻挡件与对应的第一缺口和第二缺口相互卡持以防止反射杯成型时与第一接引电极和第二接引电极发生干涉。

12.一种发光二极管封装结构,其特征在于:所述发光二极管封装结构由权利要求1-11中任一项所述的制造方法所制造。

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