[发明专利]一种刻蚀熔丝结构两侧氧化层的方法和系统在审
| 申请号： | 201310037358.7 | 申请日： | 2013-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN103972150A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 王者伟 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311;H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 马晓亚 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种刻蚀熔丝结构两侧氧化层的方法，其包括如下步骤：A、将与熔丝结构配合的量测模块放置在划片槽中。B、通过所述量测模块测量熔丝结构两侧氧化层的原始厚度。C、根据钝化层需要残留的氧化层厚度和所述原始厚度，计算所需刻蚀的氧化层的量。D、根据刻蚀机的刻蚀速度，确定刻蚀时间。E、根据所述刻蚀时间确定刻蚀制程，完成熔丝结构两侧氧化层的刻蚀。本发明能够精确控制熔丝结构两侧刻蚀的氧化层的量，避免熔丝熔断失败现象的发生，而且刻蚀效率高，耗时短，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 结构 两侧 氧化 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种刻蚀熔丝结构两侧氧化层的方法，其特征在于，包括如下步骤：A、将与熔丝结构配合的量测模块放置在划片槽中；B、通过所述量测模块测量熔丝结构两侧氧化层的原始厚度；C、根据钝化层需要残留的氧化层厚度和所述原始厚度，计算所需刻蚀的氧化层的量；D、根据刻蚀机的刻蚀速度，确定刻蚀时间；E、根据所述刻蚀时间确定刻蚀制程，完成熔丝结构两侧氧化层的刻蚀。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华科技有限公司，未经无锡华润上华科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310037358.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
