[发明专利]一种刻蚀熔丝结构两侧氧化层的方法和系统在审
| 申请号： | 201310037358.7 | 申请日： | 2013-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN103972150A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 王者伟 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311;H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 马晓亚 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 结构 两侧 氧化 方法 系统 | ||
1.一种刻蚀熔丝结构两侧氧化层的方法，其特征在于，包括如下步骤：
A、将与熔丝结构配合的量测模块放置在划片槽中；
B、通过所述量测模块测量熔丝结构两侧氧化层的原始厚度；
C、根据钝化层需要残留的氧化层厚度和所述原始厚度，计算所需刻蚀的氧化层的量；
D、根据刻蚀机的刻蚀速度，确定刻蚀时间；
E、根据所述刻蚀时间确定刻蚀制程，完成熔丝结构两侧氧化层的刻蚀。
2.根据权利要求1所述的刻蚀熔丝结构两侧氧化层的方法，其特征在于，还包括步骤F：
在完成刻蚀之后，进行晶圆测试（Chip Probing,CP）。
3.根据权利要求1所述的刻蚀熔丝结构两侧氧化层的方法，其特征在于，所述钝化层材料选自氮氧化硅。
4.根据权利要求1至3之一所述的刻蚀熔丝结构两侧氧化层的方法，其特征在于，所述刻蚀机采用干法刻蚀，刻蚀气体为八氟环丁烷（C4F8）、氧气（O2）、一氧化碳（CO）及二氧化碳（CO2）的混合气体。
5.根据权利要求4所述的刻蚀熔丝结构两侧氧化层的方法，其特征在于，所述熔丝结构为多晶硅熔丝或金属熔丝。
6.一种刻蚀熔丝结构两侧氧化层的系统，其特征在于，包括：量测模块、计算模块、控制模块及刻蚀机；
所述量测模块与熔丝结构相配合，设置在划片槽中，用于测量熔丝结构两侧氧化层的原始厚度；
所述计算模块用于根据钝化层需要残留的氧化层厚度和所述原始厚度，计算所需刻蚀的氧化层的量，并根据刻蚀机的刻蚀速度，确定刻蚀时间；
所述控制模块用于根据所述刻蚀时间确定刻蚀制程，控制刻蚀完成熔丝结构两侧氧化层的刻蚀。
7.根据权利要求6所述的刻蚀熔丝结构两侧氧化层的系统，其特征在于，还包括：测试模块，用于在完成刻蚀之后，进行晶圆测试。
8.根据权利要求6所述的刻蚀熔丝结构两侧氧化层的系统，其特征在于，所述钝化层材料选自氮氧化硅。
9.根据权利要求6至8之一所述的刻蚀熔丝结构两侧氧化层的系统，其特征在于，所述刻蚀机采用干法刻蚀。
10.根据权利要求9所述的刻蚀熔丝结构两侧氧化层的系统，其特征在于，所述熔丝结构为多晶硅熔丝或金属熔丝。
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