[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置无效
| 申请号： | 201310030534.4 | 申请日： | 2013-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN103107095A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 刘政;任章淳 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，能够减少制作LTPS-TFT所需的光刻掩膜工艺的次数，缩短研发和大规模量产的时间，降低工艺复杂度和监控难度，并降低制作成本。本发明的薄膜晶体管包括：基板；设置于所述基板上的有源层及存储电容下电极，所述有源层的重掺杂区域与所述存储电容下电极的材料相同。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在基板上形成对应于有源层区域及存储电容下电极区域的多晶硅层；采用一次构图工艺和一次掺杂工艺形成有源层重掺杂区和存储电容下电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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