[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上形成对应于有源层区域及存储电容下电极区域的多晶硅层；

采用一次构图工艺和一次掺杂工艺形成有源层重掺杂区和存储电容下电极。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述在所述多晶硅层上形成掩膜层之前，所述方法还包括：

在所述多晶硅层上形成栅绝缘层。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述在形成有源层及存储电容下电极之后，所述方法还包括：

在所述栅绝缘层上形成栅极和存储电容上电极；

在所述栅极和存储电容上电极上形成绝缘层；

处理所述基板，以使得所述有源层及存储电容下电极发生离子激活反应和氢化反应。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述在所述有源层及存储电容下电极发生离子激活反应和氢化反应之后，所述方法还包括：

在所述绝缘层上形成有机平坦层；

在所述有机平坦层、绝缘层和栅绝缘层内形成过孔；

在所述有机平坦层上形成像素电极。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述像素电极层上形成像素定义层。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，还包括采用一次构图工艺和掺杂工艺在所述有源层形成轻掺杂区域。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述在基板上形成对应于有源层区域及存储电容下电极区域的多晶硅层的方法，具体包括：

在所述基板上形成非晶硅薄膜；

将所述非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜；

形成所述对应于有源层区域及存储电容下电极区域的多晶硅层。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，将所述非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜的方法，具体包括：

采用准分子激光晶化工艺、金属诱导晶化工艺、固相晶化工艺中一种或多种的组合，将所述非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜。

9.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

基板；

设置于所述基板上的有源层及存储电容下电极，所述有源层的重掺杂区域与所述存储电容下电极的材料相同。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：

设置于所述多晶硅层上的栅绝缘层。

11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：

设置于所述栅绝缘层上的栅极和存储电容上电极；

设置于所述栅极和存储电容上电极上的绝缘层。

12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：

设置于所述绝缘层上的有机平坦层；

所述有机平坦层、绝缘层和栅绝缘层内形成有过孔；

设置于所述有机平坦层上的像素电极。

13.根据权利要求12所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：

设置于所述像素电极层上的像素定义层。

14.根据权利要求9所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管的有源层还包括轻掺杂区域。

15.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求9-14任意一项所述的薄膜晶体管。

16.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求15所述的阵列基板。