[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置。

背景技术

随着显示技术的不断进步，用户对显示装置的需求不断增加，TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜场效应晶体管液晶显示器)也在手机、液晶显示器、平板电脑等产品中得到了广泛的应用。此外，随着显示装置的不断普及，人们对于显示装置的色彩质量、对比度、可视角度、响应速度、低功耗的需求也日益增长，于是，OLED(Organic Light-Emitting Diode，薄膜场效应晶体管有机发光二极管)显示器也开始逐渐进入了用户的视野。

LTPS-TFT(Low Temperature Polycrystal line Silicon-ThinFilm Transistor，低温多晶硅薄膜场效应晶体管)由于其低温多晶硅的原子排列规则、迁移率高、器件尺寸小且驱动能力高等优点，被广泛用于高分辨率的TFT-LCD和电流型驱动的TFT-OLED中。

但是，现有技术在制作LTPS-TFT时，由于需要准分子激光晶化、离子注入、掺杂粒子激活等工艺，通常需要进行8-12次光刻掩膜工艺才能制作完成该LTPS-TFT，因此，在研发和大规模量产上耗时时间长，并且工艺难于控制，制作成本较高。

发明内容

本发明的实施例提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，能够减少制作LTPS-TFT所需的光刻掩膜工艺的次数，缩短研发和大规模量产的时间，降低工艺复杂度和监控难度，并降低制作成本。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明实施例提供一种薄膜晶体管的制作方法，包括：

在基板上形成对应于有源层区域及存储电容下电极区域的多晶硅层；

采用一次构图工艺和一次掺杂工艺形成有源层重掺杂区和存储电容下电极。

所述在所述多晶硅层上形成掩膜层之前，所述方法还包括：

在所述多晶硅层上形成栅绝缘层。

所述在形成有源层及存储电容下电极之后，所述方法还包括：

在所述栅绝缘层上形成栅极和存储电容上电极；

在所述栅极和存储电容上电极上形成绝缘层；

处理所述基板，以使得所述有源层及存储电容下电极发生离子激活反应和氢化反应。

所述在所述有源层及存储电容下电极发生离子激活反应和氢化反应之后，所述方法还包括：

在所述绝缘层上形成有机平坦层；

在所述有机平坦层、绝缘层和栅绝缘层内形成过孔；

在所述有机平坦层上形成像素电极层。

所述方法还包括：

在所述像素电极层上形成像素定义层。

所述方法还包括：

采用一次构图工艺和掺杂工艺在所述有源层形成轻掺杂区域。

所述在基板上形成对应于有源层区域及存储电容下电极区域的多晶硅层的方法，具体包括：

在所述基板上形成非晶硅薄膜；

将所述非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜；

形成所述对应于有源层区域及存储电容下电极区域的多晶硅层。

将所述非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜的方法，具体包括：

采用准分子激光晶化工艺、金属诱导晶化工艺、固相晶化工艺中一种或多种的组合，将所述非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜。

本发明实施例提供一种薄膜晶体管，包括：

基板；

设置于所述基板上的有源层及电容下电极，所述有源层的重掺杂区域与所述电容下电极的材料相同。

所述薄膜晶体管还包括：

设置于所述多晶硅层上的栅绝缘层。

所述薄膜晶体管还包括：

设置于所述栅绝缘层上的栅极和存储电容上电极；

设置于所述栅极和存储电容上电极上的绝缘层。

所述薄膜晶体管还包括：

设置于所述绝缘层上的有机平坦层；

所述有机平坦层、绝缘层和栅绝缘层内形成有过孔；

设置于所述有机平坦层上的像素电极。

所述薄膜晶体管还包括：

设置于所述像素电极层上的像素定义层。

所述薄膜晶体管的有源层还包括轻掺杂区域。

本发明实施例提供一种阵列基板，包括具有上述任一特征的薄膜晶体管。

本发明实施例还提供一种显示装置，包括具有上述任一特征的阵列基板。