[发明专利]晶种层结构和方法有效
| 申请号： | 201310030491.X | 申请日： | 2013-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN103681612A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 江祯斌;王泓智;李魁斌;周其雨;梁耀祥 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 晶种层结构和方法。一种晶种层包括在通孔开口的底部上形成的底部晶种层部分、在通孔开口的侧壁的上部上形成的侧壁晶种层部分以及在底部晶种层部分和侧壁晶种层部分之间形成的拐角晶种层部分。侧壁晶种层部分具有第一厚度。拐角晶种层部分具有第二厚度，并且第二厚度大于第一厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 晶种层 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：在衬底上方形成的介电层；在所述介电层中形成的通孔开口；以及沿着所述通孔开口的侧壁以及底部形成的晶种层，其中所述晶种层包括：在所述通孔开口的底部上形成的底部晶种层部分；沿着所述通孔开口的侧壁的上部形成的侧壁晶种层部分，其中所述侧壁晶种层部分具有第一厚度；和在所述底部晶种层部分和所述侧壁晶种层部分之间形成的拐角晶种层部分，其中所述拐角晶种层部分具有第二厚度，并且所述第二厚度大于所述第一厚度。
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