[发明专利]晶种层结构和方法

权利要求书

1.一种装置，包括：

在衬底上方形成的介电层；

在所述介电层中形成的通孔开口；以及

沿着所述通孔开口的侧壁以及底部形成的晶种层，其中所述晶种层包括：

在所述通孔开口的底部上形成的底部晶种层部分；

沿着所述通孔开口的侧壁的上部形成的侧壁晶种层部分，其中所述侧壁晶种层部分具有第一厚度；和

在所述底部晶种层部分和所述侧壁晶种层部分之间形成的拐角晶种层部分，其中所述拐角晶种层部分具有第二厚度，并且所述第二厚度大于所述第一厚度。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述通孔开口是双镶嵌结构的通孔部分。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述第二厚度与所述通孔开口的纵横比成比例。

4.根据权利要求3所述的装置，其中：

当所述通孔开口的纵横比是1.6时，所述第二厚度等于约80埃；以及

当所述通孔开口的纵横比是2.0时，所述第二厚度等于约180埃。

5.根据权利要求1所述的装置，还包括：

在所述晶种层下面形成的阻挡层。

6.根据权利要求1所述的装置，还包括：

在所述通孔开口中填充的导电材料。

7.根据权利要求6所述的装置，还包括：

在所述导电材料上方形成的金属覆盖件；以及

在所述金属覆盖件上方形成的蚀刻停止层。

8.一种方法，包括：

在衬底上方沉积介电层；

在所述介电层中形成双镶嵌开口，其中所述双镶嵌开口包括：

通孔开口；和

沟槽开口；

在所述双镶嵌开口的表面上方沉积晶种层；

对所述晶种层的底部施用再溅射工艺；以及

对所述晶种层的底部实施沉积工艺。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述晶种层包括：

沿着所述通孔开口的侧壁并靠近所述通孔开口的侧壁的上部形成的侧壁晶种层部分，其中所述侧壁晶种层部分具有第一厚度；以及

在所述通孔开口的底部和所述侧壁晶种层部分之间形成的拐角晶种层部分，其中所述拐角晶种层部分具有第二厚度，并且所述第二厚度大于所述第一厚度。

10.一种方法，包括：

在衬底上方沉积第一介电层；

在所述第一介电层中形成通孔开口；

沿着所述通孔开口的侧壁和底部沉积晶种层；

对所述晶种层的底部实施再溅射工艺；

对所述晶种层的底部施用沉积工艺；以及

用导电材料填充所述通孔开口。