[发明专利]利用侧壁图像转移技术形成SRAM装置的方法

摘要

本发明涉及利用侧壁图像转移技术形成SRAM装置的方法，在一示例中，本发明方法包含：在半导体基板上方形成硬掩模层；在该硬掩模层上方形成图案化间隙壁掩模层，其中，该图案化间隙壁掩模层由多个第一间隙壁、第二间隙壁以及第三间隙壁组成；以及通过该图案化间隙壁掩模层在该硬掩模层上执行第一蚀刻工艺，以定义图案化硬掩模层。该方法还包含通过该图案化硬掩模层执行第二蚀刻工艺，以在该基板中定义多个第一鳍片、第二鳍片以及第三鳍片，其中，该第一鳍片的宽度大致对应该第一间隙壁的宽度，该第二鳍片的宽度大致对应该第二间隙壁的宽度，以及该第三鳍片的宽度大致对应该第三间隙壁的宽度。

主权项

一种形成SRAM装置的方法，包括：在半导体基板上方形成硬掩模层；在该硬掩模层上方形成图案化间隙壁掩模层，该图案化间隙壁掩模层由多个第一间隙壁、多个第二间隙壁以及多个第三间隙壁组成；通过该图案化间隙壁掩模层在该硬掩模层上执行第一蚀刻工艺，从而定义图案化硬掩模层；通过该图案化硬掩模层在该基板上执行第二蚀刻工艺，从而定义该基板中的多个第一鳍片、该基板中的多个第二鳍片以及该基板中的多个第三鳍片，其中，该第一鳍片具有与该第一间隙壁的宽度大致对应的第一宽度，该第二鳍片具有与该第二间隙壁的宽度大致对应的第二宽度，以及该第三鳍片具有与该第三间隙壁的宽度大致对应的第三宽度。