[发明专利]利用侧壁图像转移技术形成SRAM装置的方法

权利要求书

1.一种形成SRAM装置的方法，包括：

在半导体基板上方形成硬掩模层；

在该硬掩模层上方形成图案化间隙壁掩模层，该图案化间隙壁掩模层由多个第一间隙壁、多个第二间隙壁以及多个第三间隙壁组成；

通过该图案化间隙壁掩模层在该硬掩模层上执行第一蚀刻工艺，从而定义图案化硬掩模层；

通过该图案化硬掩模层在该基板上执行第二蚀刻工艺，从而定义该基板中的多个第一鳍片、该基板中的多个第二鳍片以及该基板中的多个第三鳍片，其中，该第一鳍片具有与该第一间隙壁的宽度大致对应的第一宽度，该第二鳍片具有与该第二间隙壁的宽度大致对应的第二宽度，以及该第三鳍片具有与该第三间隙壁的宽度大致对应的第三宽度。

2.如权利要求1所述的方法，其中，该第一、第二以及第三宽度相同。

3.如权利要求1所述的方法，其中，该第一、第二以及第三宽度彼此不同。

4.如权利要求1所述的方法，其中，该第一、第二以及第三宽度的其中两个相同，而该第一、第二以及第三宽度的其中另一个不同于该两个。

5.如权利要求1所述的方法，其中，该第一、第二以及第三间隙壁都由相同的材料组成。

6.如权利要求1所述的方法，其中，各该第一、第二以及第三间隙壁都由不同的材料组成。

7.如权利要求1所述的方法，其中，该半导体基板由硅组成。

8.如权利要求1所述的方法，进一步包括在执行该第二蚀刻工艺之前，移除该图案化间隙壁掩模层。

9.如权利要求1所述的方法，其中，形成该图案化间隙壁掩模层包括：

沉积第一间隙壁材料层；

在该第一间隙壁材料层上执行第一非等向性蚀刻工艺，从而定义该多个第一间隙壁；

在形成该多个第一间隙壁后，沉积第二间隙壁材料层；

在该第二间隙壁材料层上执行第二非等向性蚀刻工艺，从而定义该多个第二间隙壁；

在形成该多个第二间隙壁后，沉积第三间隙壁材料层；以及

在该第三间隙壁材料层上执行第三非等向性蚀刻工艺，从而定义该多个第三间隙壁。

10.一种形成SRAM装置的方法，包括：

在半导体基板上方形成硬掩模层；

在位于该硬掩模层上方从而多个相互隔开的第一芯轴上方沉积第一间隙壁材料层；

在该第一间隙壁材料层上执行第一非等向性蚀刻工艺，从而定义多个第一间隙壁；

在形成该多个第一间隙壁后，形成与各该多个第一间隙壁相邻的第二芯轴；

在该第二芯轴上方沉积第二间隙壁材料层；

在该第二间隙壁材料层上执行第二非等向性蚀刻工艺，从而定义多个第二间隙壁，各该第二间隙壁与该第二芯轴的其中一个相邻；

在形成该多个第二间隙壁后，形成与各该第二间隙壁相邻的第三芯轴；

在该第三芯轴上方沉积第三间隙壁材料层；

在该第三间隙壁材料层上执行第三非等向性蚀刻工艺，从而定义多个第三间隙壁；

执行至少一工艺操作，以相对该第一、第二以及第三间隙壁选择性移除该第一、第二以及第三芯轴，其中，在移除该第一、第二以及第三芯轴后，该第一、第二以及第三间隙壁定义图案化间隙壁掩模层；

通过该图案化间隙壁掩模层在该硬掩模层上执行第一蚀刻工艺，从而定义图案化硬掩模层；以及

通过该图案化硬掩模层在该基板上执行第二蚀刻工艺，从而定义该基板中的多个第一鳍片、该基板中的多个第二鳍片以及该基板中的多个第三鳍片，其中，该第一鳍片具有与该第一间隙壁的宽度大致对应的第一宽度，该第二鳍片具有与该第二间隙壁的宽度大致对应的第二宽度，以及该第三鳍片具有与该第三间隙壁的宽度大致对应的第三宽度。

11.如权利要求10所述的方法，其中，该第一、第二以及第三宽度相同。

12.如权利要求10所述的方法，其中，该第一、第二以及第三宽度彼此不同。

13.如权利要求10所述的方法，其中，该第一、第二以及第三宽度的其中两个相同，而该第一、第二以及第三宽度的其中另一个不同于该两个。

14.如权利要求10所述的方法，其中，该第一、第二以及第三间隙壁都由相同的材料组成。