[发明专利]发光元件、发光元件制造方法和发光装置在审
| 申请号： | 201310026035.8 | 申请日： | 2013-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN103227260A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 青柳秀和;河崎孝彦;塩见治典;伊藤胜利;中岛真 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;褚海英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了发光元件、发光元件制造方法和发光装置。所述发光元件包括：层叠体，其包括依次设置的第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层；接触层，其至少被设置在所述第二导电型半导体层的周缘处，并与所述第二导电型半导体层接触；第一电极，其与所述第一导电型半导体层电连接；第二电极，其被设置于所述第一导电型半导体层侧；以及导体，其将所述第二电极与所述接触层彼此电连接。根据本发明，能够防止出现破损和有效发光面积的减小，从而实现更高的强度和更高的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种发光元件，所述发光元件包括：层叠体，所述层叠体包括依次设置的第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层；接触层，所述接触层至少设置在所述第二导电型半导体层的周缘处，并与所述第二导电型半导体层接触；第一电极，所述第一电极与所述第一导电型半导体层电连接；第二电极，所述第二电极设置于所述第一导电型半导体层侧；以及导体，所述导体将所述第二电极与所述接触层彼此电连接。
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