[发明专利]发光元件、发光元件制造方法和发光装置

说明书

技术领域

本发明涉及适用于例如面发射型LED(Light Emitting Diode，发光二极管)的发光元件，并且涉及该发光元件的制造方法，还涉及发光装置。

背景技术

近年来，诸如LED等发光元件被用于液晶显示装置的背光源中，也被用于照明装置和显示器等中。这种发光元件具有包括n型覆层、发光层以及p型覆层的层叠结构，并通过在分别布置于n型覆层侧(例如下侧)和p型覆层侧(例如上侧)的电极之间施加电压而提取光。通过这样的电压施加，在所谓的面发射型发光元件中，从n型覆层侧或p型覆层侧提取光。

附带说明地，为了实现安装的容易化、简单化和高密度化，期望这种发光元件是晶片倒装的（flip chip mounting）。为了进行晶片倒装，必需将一对电极集中布置于上侧和下侧之中的一者上。例如，在日本未审查专利申请第2004-158872号公报中，为各半导体层设有台阶以露出各层的一部分，并且在各所述半导体层的露出部分处布置有电极。这样，一对电极就被集中布置于同一侧(例如下侧)上。

发明内容

然而，当以此方式为半导体层设置有露出部分时，发光元件可能易于破损。此外，因为露出部分用作非发光区，所以存在如下的风险：有效发光面积与安装面积的比率减小了，从而降低了发光效率。

因此，期望提供一种能够实现晶片倒装且能够提供更高强度及发光效率的发光元件，还期望提供所述发光元件的制造方法并且提供发光装置。

本发明的实施例的发光元件包括：层叠体，其包括依次设置的第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层；接触层，其至少设置在第二导电型半导体层的周缘处与第二导电型半导体层接触；第一电极，其与第一导电型半导体层电连接；第二电极，其设置于第一导电型半导体层侧；以及导体，其将第二电极与接触层彼此电连接。

本发明的实施例的发光装置设置有发光元件。所述发光元件包括：层叠体，其包括依次设置的第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层；接触层，其至少设置在第二导电型半导体层的周缘处与第二导电型半导体层接触；第一电极，其与第一导电型半导体层电连接；第二电极，其设置于第一导电型半导体层侧；以及导体，其将第二电极与接触层彼此电连接。

在本发明的上述各实施例的发光元件和发光装置中，第一导电型半导体层侧的第二电极与第二导电型半导体层侧的接触层是通过上述导体彼此电连接的。换言之，能够在半导体层(诸如第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层以及接触层)未形成有露出部分的情况下将第二电极布置于第一导电型半导体层侧。

本发明的实施例的发光元件制造方法包括：形成层叠体和接触层，所述层叠体包括依次设置的第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层，并且所述接触层至少形成在第二导电型半导体层的周缘处；在第一导电型半导体层侧的区域中形成第一电极；以及形成第二电极并通过导体将第二电极与接触层彼此电连接，所述第二电极形成在第一导电型半导体层侧的区域中。

根据本发明的上述各实施例的发光元件、发光元件制造方法以及发光装置，第二电极设置于第一导电型半导体层侧，并且第二电极与第二导电型半导体层侧的接触层利用上述导体而彼此连接。这使得能够在半导体层未设置有露出部分的情况下将第一电极和第二电极均布置在第一导电型半导体层侧。因此，能够防止出现破损以及有效发光面积的减小，从而实现更高的强度和更高的发光效率。

应当理解，以上的一般性说明和以下的详细说明均为示例性的，旨在对本发明要求保护的技术作进一步解释。

附图说明

这里所包括的附图提供了对本发明的进一步理解，这些附图被并入本说明书中且构成本说明书的一部分。附图图示了各实施例，并且与本说明书一起用来解释本发明的原理。

图1是图示了本发明实施例的发光元件的构造的图。

图2A和图2B用于说明在图1所示的发光层处生成的光的反射。

图3A～图3C是以工序顺序示出了图1所示的发光元件的制造方法的截面图。

图4A～图4C是示出了在图3C所示的工序之后的工序的截面图。

图5A～图5C是示出了在图4C所示的工序之后的工序的截面图。

图6是用于说明图1所示的发光元件的光提取的图。

图7A和图7B都是示出了比较例的发光元件的构造的图。

图8是示出了变形例的发光元件的构造的截面图。

图9A～图9C是以工序顺序示出了图8所示的发光元件的制造方法的截面图。