[发明专利]发光元件、发光元件制造方法和发光装置

权利要求书

1.一种发光元件，所述发光元件包括：

层叠体，所述层叠体包括依次设置的第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层；

接触层，所述接触层至少设置在所述第二导电型半导体层的周缘处，并与所述第二导电型半导体层接触；

第一电极，所述第一电极与所述第一导电型半导体层电连接；

第二电极，所述第二电极设置于所述第一导电型半导体层侧；以及

导体，所述导体将所述第二电极与所述接触层彼此电连接。

2.如权利要求1所述的发光元件，其中，所述导体设置于所述层叠体的侧面上。

3.如权利要求2所述的发光元件，还包括设置于所述导体与所述层叠体之间的绝缘膜。

4.如权利要求1所述的发光元件，其中，

在所述第二导电型半导体层的顶面上设置有光提取面，并且

所述第一电极和所述第二电极设置于所述第一导电型半导体层的底面处。

5.如权利要求3所述的发光元件，其中，所述导体完全覆盖所述层叠体的所述侧面。

6.如权利要求3所述的发光元件，其中，满足下式(1)：

2D₃₁×cosθ₃₁=(m+1/2)×λ/n₃₁   (1)

这里，D₃₁为所述绝缘膜的厚度，θ₃₁为在所述发光层处生成的光相对于所述绝缘膜的入射角，λ为在所述发光层处生成的光的波长，n₃₁为所述绝缘膜的折射率，且m为0以上的整数。

7.如权利要求3所述的发光元件，其中，

在所述第二电极与所述层叠体之间也设置有所述绝缘膜，并且

满足下式(2)：

2D_31B×cosθ_31B=(m1+1/2)×λ/n₃₁   (2)

这里，D_31B为所述层叠体与所述第二电极之间的所述绝缘膜的厚度，θ_31B为在所述发光层处生成的光相对于所述第二电极以及在所述层叠体与所述第二电极之间的所述绝缘膜的入射角，λ为在所述发光层处生成的光的波长，n₃₁为所述绝缘膜的折射率，且m1为0以上的整数。

8.如权利要求1所述的发光元件，其中，所述导体设置于所述层叠体的侧面的一部分上。

9.如权利要求1所述的发光元件，其中，所述层叠体为发光二极管。

10.如权利要求1所述的发光元件，其中，所述发光层包含Al、In、Ga、P和As中的一种以上元素，并且所述发光层生成红色～黄绿色范围内的光。

11.如权利要求1所述的发光元件，其中，所述发光层包含Al、In、Ga和N中的一种以上元素，并且所述发光层生成蓝色～绿色范围内的光。

12.如权利要求1至11中任一项所述的发光元件，其中，所述接触层仅设置于所述第二导电型半导体层的所述周缘处。

13.如权利要求3至11中任一项所述的发光元件，其中，

所述接触层包括檐部，所述檐部设置于所述第二导电型半导体层的外侧部处，并且

所述檐部的宽度基本上等于所述导体的厚度与位于所述导体与所述层叠体之间的所述绝缘膜的厚度之和。

14.一种发光装置，其具有权利要求1至13中任一项所述的发光元件。

15.一种发光元件制造方法，所述方法包括以下步骤：

形成层叠体和接触层，所述层叠体包括依次设置的第一导电型半导体层、发光层和第二导电型半导体层，并且所述接触层至少形成于所述第二导电型半导体层的周缘处；

在所述第一导电型半导体层侧的区域中形成第一电极；以及

形成第二电极并且通过导体将所述第二电极与所述接触层彼此电连接，所述第二电极形成于所述第一导电型半导体层侧的区域中。