[发明专利]电阻式存储元件

摘要

本发明公开了一种电阻式存储元件，包括介电层、导体层、底电极、顶电极及可变电阻层。介电层配置于基底上。介电层具有由下部开口与上部开口所构成的第一开口。导体层填满下部开口。底电极配置于上部开口的底面与至少部分侧壁上。顶电极配置于上部开口中。可变电阻层配置于底电极与顶电极之间。

主权项

一种电阻式存储元件，包括：介电层，配置于基底上，所述介电层具有由下部开口与上部开口所构成的第一开口；导体层，填满所述下部开口；底电极，配置于所述上部开口的底面与所述上部开口的侧壁的下部分，并裸露出所述上部开口的侧壁的上部分；顶电极，配置于所述上部开口中；以及可变电阻层，配置于所述底电极与所述顶电极之间，其中所述可变电阻层直接接触所述上部开口的侧壁的上部分，而不直接接触所述上部开口的侧壁的下部分，其中所述可变电阻层延伸配置于所述上部开口的侧壁的下部分的所述底电极上以形成重叠区域，且所述顶电极未覆盖所述重叠区域。