[发明专利]电阻式存储元件

权利要求书

1.一种电阻式存储元件，包括：

介电层，配置于基底上，所述介电层具有由下部开口与上部开口所构成的第一开口；

导体层，填满所述下部开口；

底电极，配置于所述上部开口的底面与所述上部开口的侧壁的下部分，并裸露出所述上部开口的侧壁的上部分；

顶电极，配置于所述上部开口中；以及

可变电阻层，配置于所述底电极与所述顶电极之间，其中所述可变电阻层直接接触所述上部开口的侧壁的上部分，而不直接接触所述上部开口的侧壁的下部分，其中所述可变电阻层延伸配置于所述上部开口的侧壁的下部分的所述底电极上以形成重叠区域，且所述顶电极未覆盖所述重叠区域。

2.如权利要求1所述的电阻式存储元件，其中所述下部开口与所述上部开口的侧壁切齐。

3.如权利要求1所述的电阻式存储元件，其中所述底电极于所述上部开口的侧壁上的厚度小于所述底电极于所述上部开口的底面上的厚度。

4.如权利要求1所述的电阻式存储元件，其中所述介电层更具有第二开口，所述导体层更填满所述第二开口。

5.如权利要求4所述的电阻式存储元件，其中所述第一开口及所述第二开口贯穿所述介电层。

6.如权利要求4所述的电阻式存储元件，还包括金属层，所述金属层配置于所述介电层上并与所述顶电极及所述第二开口中的所述导体层电性连接。

7.如权利要求1所述的电阻式存储元件，其中所述导体层与所述介电层下方的另一导体层电性连接。

8.如权利要求7所述的电阻式存储元件，其中所述另一导体层包括掺杂区、多晶硅层或金属层。

9.一种电阻式存储元件，包括：

介电层，配置于基底上，所述介电层具有由下部开口与上部开口所构成的第一开口；

导体层，填满所述下部开口；

底电极，配置于所述上部开口的底面与整个侧壁上；

顶电极，配置于所述上部开口中；以及

可变电阻层，配置于所述底电极与所述顶电极之间，其中所述可变电阻层延伸配置于所述整个侧壁的所述底电极上以形成重叠区域，且所述顶电极未覆盖所述重叠区域。

10.如权利要求9所述的电阻式存储元件，其中所述底电极于所述上部开口的侧壁上的厚度等于所述底电极于所述上部开口的底面上的厚度。

11.如权利要求10所述的电阻式存储元件，其中所述可变电阻层更延伸配置于所述第一开口周围的所述介电层上。

12.如权利要求11所述的电阻式存储元件，其中所述介电层更具有第二开口，所述导体层更填满所述第二开口。

13.如权利要求12所述的电阻式存储元件，其中所述第一开口及所述第二开口贯穿所述介电层。

14.如权利要求12所述的电阻式存储元件，其中所述可变电阻层裸露出所述第二开口中的所述导体层。

15.如权利要求12所述的电阻式存储元件，还包括金属层，所述金属层配置于所述介电层上并与所述顶电极及所述第二开口中的所述导体层电性连接。

16.如权利要求9所述的电阻式存储元件，其中所述导体层与所述介电层下方的另一导体层电性连接。