[发明专利]磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置有效
| 申请号： | 201310024847.9 | 申请日： | 2013-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN103219014A | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 樋渡诚;山根明;茂智雄;坂胁彰 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/84 | 分类号： | G11B5/84;G11B5/667 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;杨光军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种磁记录介质的制造方法，其包括：在非磁性基板（1）上形成磁性层（2）的工序；在磁性层（2）上形成掩模层（3）的工序；在掩模层（3）上形成被图案化为规定的形状的抗蚀剂层（4）的工序；使用抗蚀剂层（4），将掩模层（3）图案化为与该抗蚀剂层（4）对应的形状的工序；使用被图案化了的掩模层（3），将磁性层（2）图案化为与该掩模层（3）对应的形状的工序；和通过反应性等离子体蚀刻除去残存于磁性层（2）上的掩模层（3）的工序，反应性等离子体蚀刻在含有有机化合物的气氛中进行，所述有机化合物具有选自羟基、羰基、羟基羰基、烷氧基、醚基之中的至少一种或多种官能团。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 制造 方法 再生 装置 | ||
【主权项】：
一种磁记录介质的制造方法，其特征在于，包括：在非磁性基板上形成磁性层的工序；在所述磁性层上形成掩模层的工序；在所述掩模层上形成被图案化为规定的形状的抗蚀剂层的工序；使用所述抗蚀剂层，将所述掩模层图案化为与所述抗蚀剂层对应的形状的工序；使用所述图案化了的掩模层，将所述磁性层图案化为与所述掩模层对应的形状的工序；和通过反应性等离子体蚀刻除去残存于所述磁性层上的掩模层的工序，在含有有机化合物的气氛中进行所述反应性等离子体蚀刻，所述有机化合物具有选自羟基、羰基、羟基羰基、烷氧基、醚基之中的至少一种或多种官能团。
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