[发明专利]磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置

权利要求书

1.一种磁记录介质的制造方法，其特征在于，包括：

在非磁性基板上形成磁性层的工序；

在所述磁性层上形成掩模层的工序；

在所述掩模层上形成被图案化为规定的形状的抗蚀剂层的工序；

使用所述抗蚀剂层，将所述掩模层图案化为与所述抗蚀剂层对应的形状的工序；

使用所述图案化了的掩模层，将所述磁性层图案化为与所述掩模层对应的形状的工序；和

通过反应性等离子体蚀刻除去残存于所述磁性层上的掩模层的工序，

在含有有机化合物的气氛中进行所述反应性等离子体蚀刻，所述有机化合物具有选自羟基、羰基、羟基羰基、烷氧基、醚基之中的至少一种或多种官能团。

2.根据权利要求1所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，所述掩模层由碳膜构成。

3.根据权利要求1所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，所述掩模层由选自Ni、Fe、Co、Cr之中的至少一种的金属膜、或者含有选自所述Ni、Fe、Co、Cr之中的多种金属的合金膜构成。

4.根据权利要求1所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，所述掩模层由树脂膜构成。

5.根据权利要求1所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，所述掩模层由叠层膜构成，所述叠层膜是依次层叠了第1层和第2层的叠层膜，所述第1层由碳膜、金属膜或合金膜、和树脂膜之中的任一种膜构成，所述第2层由蚀刻速率比所述第1层低的材料构成。

6.根据权利要求5所述的磁记录介质的制造方法，其特征在于，所述第2层由选自Si、Al、Cr、Cu、Mo、W、Pt、Au、Ta、Ni、Fe、Co之中的至少一种的金属膜、或者含有所述Si、Al、Cr、Cu、Mo、W、Pt、Au、Ta、Ni、Fe、Co之中的多种的合金膜构成。

7.一种磁记录再生装置，其特征在于，具备：

采用权利要求1所述的方法制造的磁记录介质；

将所述磁记录介质沿记录方向驱动的介质驱动部；

针对所述磁记录介质进行记录动作和再生动作的磁头；

使所述磁头相对于所述磁记录介质进行相对移动的磁头移动单元；和

用于进行向所述磁头输入信号和从所述磁头再生输出信号的记录再生信号处理单元。