[发明专利]半导体加工站和加工半导体晶圆的方法有效

专利信息
申请号: 201310014632.9 申请日: 2013-01-15
公开(公告)号: CN103700605B 公开(公告)日: 2017-11-24
发明(设计)人: 高茂林;刘旭水;胡天镇;柯力仁;沈香吟;白峻荣 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/677
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 代理人: 章社杲,孙征
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明提供了一种半导体加工站。该半导体加工站包括第一平台、第二平台和真空通道,其中,第一平台具有第一加载锁和多个第一室,第二平台具有第二加载锁和多个第二室,真空通道连接第一和第二加载锁。本发明还提供了加工半导体晶圆的方法。
搜索关键词: 半导体 加工 方法
【主权项】:
一种半导体加工站,包括:具有第一加载锁和多个第一室的第一平台;具有第二加载锁和多个第二室的第二平台;第三加载锁;连接所述第一加载锁、所述第二加载锁和所述第三加载锁的真空通道,所述真空通道包括用于在所述第一加载锁、所述第二加载锁和所述第三加载锁之间转移晶圆的至少一个真空机器人;第一转移机器人,所述第一转移机器人构造成在所述多个第一室之间、以及在所述多个第一室和所述第一加载锁之间转移晶圆;以及第二转移机器人,所述第二转移机器人构造成在所述多个第二室之间、以及在所述多个第二室和所述第二加载锁之间转移晶圆。
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