[发明专利]半导体加工站和加工半导体晶圆的方法

说明书

技术领域

本公开涉及半导体制造，更具体地，涉及半导体加工站和加工半导体晶圆的方法。

背景技术

随着半导体制造工艺复杂性增加，在多个不同的加工模块或工具之间转移晶圆变得越来越必要，并且这些工具通常被显著的距离分隔开，当晶圆在分离的真空工具之间转移时，会导致晶圆的颗粒污染的风险增加。因此，通常根据厂商来开发或集成现场工具以满足半导体制造加工需求，但是通过这种方式，会引起IP泄露并且厂商选择的灵活性差。另一方面，因为平台的加工室的晶圆每小时产出量(WPH)不平衡，所以平台的生产率非常低。具有高WPH的一些加工室需要等待具有低WPH的那些加工室，这会降低加工室的利用。为解决这个问题，提出了一些传统方法，诸如线性平台将额外的加工室连接到平台以提高平台的室数量。然而，室的采购和运营的商业模式是复杂的，并且用于多室结合的集成和软件开发同样是复杂的。

因此，由于现有技术的这些缺陷，有必要解决上述问题。

发明内容

根据本公开的一个方面，提供了一种半导体加工站。半导体加工站包括第一平台、第二平台和真空通道，其中，第一平台具有第一加载锁和多个第一室，第二平台具有第二加载锁和多个第二室，真空通道连接第一和第二加载锁。

优选地，真空通道具有连接至所述第一加载锁的第一侧，并具有与所述第一侧相对且连接至所述第二加载锁的第二侧。

优选地，半导体加工站还包括设备前端模块(EFEM)和第三加载锁，其中，所述EFEM连接至所述第三加载锁，所述第三加载锁连接至所述真空通道。

优选地，所述EFEM还包括交互机器人和加载口。

优选地，所述EFEM具有大气压。

优选地，半导体加工站还包括控制所述EFEM、所述第三加载锁和所述真空通道的操作的第三控制系统。

优选地，所述第一平台和所述第二平台中的每一个均包括从由集群平台、线性平台和倾斜平台组成的组中选择的一个平台。

优选地，半导体加工站还包括控制所述半导体加工站的操作的主机控制系统。

优选地，第一平台包括控制所述第一平台的操作的第一控制系统，所述第二平台包括控制所述第二平台的操作的第二控制系统。

优选地，真空通道还包括至少一个真空机器人和设置在所述真空机器人旁边的晶圆载物台。

优选地，真空通道具有处于10^-4至10^-6大气压范围内的操作压力。

优选地，半导体加工站还包括连接至所述真空通道的缓冲台，其中，所述缓冲台具有10^-4至10^-6大气压范围内的操作压力。

根据本公开的另一个方面，提供了一种在半导体加工站中加工半导体晶圆的方法，该半导体加工站包括第一和第二集群平台，该集群平台的每一个均包括多个室。该方法包括如下步骤：在第一集群平台中提供半导体晶圆，在真空中将半导体晶圆在第一和第二集群平台之间转移。

优选地，第一集群平台包括第一加载锁，所述第二集群平台包括第二加载锁。

优选地，半导体晶圆通过所述第一加载锁和所述第二加载锁在所述第一集群平台和所述第二集群平台之间转移。

优选地，转移步骤包括：通过真空通道在所述第一集群平台和所述第二集群平台之间转移所述半导体晶圆的子步骤。

根据本公开的又一个方面，提供了一种半导体加工站。该系统包括第一平台、第二平台和真空通道，其中，第一平台包括多个第一室，第二平台包括多个第二室，并且真空通道连接于第一和第二平台。

优选地，真空通道包括第一侧、与所述第一侧相对的第二侧、第一端和与所述第一端相对的第二端，并且所述第一平台连接至所述第一侧，所述第二平台连接至所述第二侧。

优选地，半导体加工站还包括：连接至所述第一端的EFEM；以及连接至所述第二端的缓冲台，所述第一平台和所述第二平台中的每一个均包括从由集群平台、线性平台和倾斜平台组成的组中选择的一个平台。

优选地，真空通道还包括至少一个真空机器人和设置在所述真空机器人旁边的晶圆载物台，并且具有10^-4至10^-6大气压范围内的操作压力的所述真空通道连接至具有10^-4至10^-6大气压范围内的操作压力的所述缓冲台。

附图说明