[发明专利]半导体加工站和加工半导体晶圆的方法

权利要求书

1.一种半导体加工站，包括：

具有第一加载锁和多个第一室的第一平台；

具有第二加载锁和多个第二室的第二平台；

第三加载锁；

连接所述第一加载锁、所述第二加载锁和所述第三加载锁的真空通道，所述真空通道包括用于在所述第一加载锁、所述第二加载锁和所述第三加载锁之间转移晶圆的至少一个真空机器人；

第一转移机器人，所述第一转移机器人构造成在所述多个第一室之间、以及在所述多个第一室和所述第一加载锁之间转移晶圆；以及

第二转移机器人，所述第二转移机器人构造成在所述多个第二室之间、以及在所述多个第二室和所述第二加载锁之间转移晶圆。

2.根据权利要求1所述的半导体加工站，其中，所述真空通道具有连接至所述第一加载锁的第一侧，并具有与所述第一侧相对且连接至所述第二加载锁的第二侧。

3.根据权利要求1所述的半导体加工站，还包括设备前端模块(EFEM)，其中，所述EFEM连接至所述第三加载锁。

4.根据权利要求3所述的半导体加工站，其中，所述EFEM还包括交互机器人和加载口。

5.根据权利要求3所述的半导体加工站，其中，所述EFEM具有大气压。

6.根据权利要求3所述的半导体加工站，还包括控制所述EFEM、所述第三加载锁和所述真空通道的操作的第三控制系统。

7.根据权利要求1所述的半导体加工站，其中，所述第一平台和所述第二平台中的每一个均包括从由集群平台、线性平台和倾斜平台组成的组中选择的一个平台。

8.根据权利要求1所述的半导体加工站，还包括控制所述半导体加工站的操作的主机控制系统。

9.根据权利要求1所述的半导体加工站，其中，所述第一平台包括控制所述第一平台的操作的第一控制系统，所述第二平台包括控制所述第二平台的操作的第二控制系统。

10.根据权利要求1所述的半导体加工站，其中，所述真空通道还包括设置在所述真空机器人旁边的晶圆载物台。

11.根据权利要求1所述的半导体加工站，其中，所述真空通道具有处于10^-4至10^-6大气压范围内的操作压力。

12.根据权利要求1所述的半导体加工站，还包括连接至所述真空通道的缓冲台，其中，所述缓冲台具有10^-4至10^-6大气压范围内的操作压力。

13.一种在包括第一集群平台和第二集群平台的半导体加工站中加工半导体晶圆的方法，所述第一集群平台和所述第二集群平台均包括多个室,其中所述半导体加工站还包括第三加载锁，所述方法包括如下步骤：

在所述第一集群平台中提供半导体晶圆；

通过至少一个真空机器人在真空中将所述半导体晶圆在所述第一集群平台、所述第二集群平台以及所述第三加载锁之间转移；

通过第一转移机器人在所述第一集群平台的室之间、以及在所述第一集群平台的室和所述第一集群平台的第一加载锁之间转移晶圆；以及

通过第二转移机器人在所述第二集群平台的室之间、以及在所述第二集群平台的室和所述第二集群平台的第二加载锁之间转移晶圆。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述半导体晶圆通过所述第一加载锁和所述第二加载锁在所述第一集群平台和所述第二集群平台之间转移。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，转移步骤包括：通过真空通道在所述第一集群平台和所述第二集群平台之间转移所述半导体晶圆的子步骤。