[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310011310.9 | 申请日： | 2013-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN103545373B | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 赵兴在 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 石卓琼;俞波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直沟道晶体管，所述垂直沟道晶体管包括：柱体，所述柱体形成在衬底之上；以及栅电极，所述栅电极形成在柱体的侧壁上，其中，所述柱体包括：源极区、在源极区之上的垂直沟道区、在垂直沟道区之上的漏极区、以及插入在垂直沟道区与漏极区之间的泄漏防止区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种垂直沟道晶体管，包括：柱体，所述柱体形成在衬底之上；以及栅电极，所述栅电极形成在所述柱体的侧壁上，其中，所述柱体包括：源极区、在所述源极区之上的垂直沟道区、在所述垂直沟道区之上的漏极区以及仅仅插入在所述垂直沟道区与所述漏极区之间的泄漏防止区，其中所述泄漏防止区在晶体管操作期间用来防止在垂直沟道区中聚集的空穴泄漏到漏极区。
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