[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种垂直沟道晶体管，包括：

柱体，所述柱体形成在衬底之上；以及

栅电极，所述栅电极形成在所述柱体的侧壁上，

其中，所述柱体包括：源极区、在所述源极区之上的垂直沟道区、在所述垂直沟道区之上的漏极区以及仅仅插入在所述垂直沟道区与所述漏极区之间的泄漏防止区，其中所述泄漏防止区在晶体管操作期间用来防止在垂直沟道区中聚集的空穴泄漏到漏极区。

2.如权利要求1所述的垂直沟道晶体管，其中，所述泄漏防止区包括含碳C的层。

3.如权利要求1所述的垂直沟道晶体管，其中，所述泄漏防止区包括碳化硅SiC。

4.如权利要求1所述的垂直沟道晶体管，其中，所述漏极区包括硅。

5.如权利要求1所述的垂直沟道晶体管，其中，所述漏极区包括单晶硅。

6.一种制造垂直沟道晶体管的方法，包括以下步骤：

在衬底之上形成柱体；以及

在所述柱体的侧壁上形成栅电极，

其中，所述柱体包括：源极区、在所述源极区之上的垂直沟道区、在所述垂直沟道区之上的泄漏防止区以及在所述泄漏防止区之上的漏极区，其中，所述泄漏防止区仅仅插入在所述垂直沟道区与所述漏极区之间并且在晶体管操作期间用来防止在垂直沟道区中聚集的空穴泄漏到漏极区。

7.如权利要求6所述的方法，其中，形成所述柱体的步骤包括以下步骤：

通过刻蚀所述衬底来形成柱体图案；

在所述柱体图案的上部部分或所述柱体图案之上形成泄漏防止区；

在所述泄漏防止区之上形成硅层；以及

通过离子注入杂质到所述硅层和所述柱体图案的下部部分中来分别形成漏极区和源极区。

8.如权利要求7所述的方法，其中，形成所述泄漏防止区的步骤包括：执行离子注入，所述离子注入被设定的目标是离所述柱体图案的表面预定深度处。

9.如权利要求7所述的方法，其中，形成所述泄漏防止区的步骤包括：在所述柱体图案的表面执行离子注入。

10.如权利要求7所述的方法，其中，形成所述泄漏防止区的步骤包括：在所述柱体图案之上执行外延生长。

11.如权利要求7所述的方法，其中，形成所述硅层的步骤包括：在所述泄漏防止区之上执行外延生长。

12.如权利要求6所述的方法，其中，形成所述柱体的步骤包括以下步骤：

在所述衬底之上或所述衬底上部部分形成泄漏防止区；

在所述泄漏防止区之上形成硅层；

通过刻蚀所述泄漏防止区、所述硅层以及所述衬底来形成所述柱体；以及

通过离子注入杂质到所述硅层和所述柱体的下部部分中来分别形成漏极区和源极区。

13.如权利要求12所述的方法，其中，形成所述泄漏防止区的步骤包括：执行离子注入，所述离子注入被设定的目标是离所述柱体图案的表面预定的深度处。

14.如权利要求12所述的方法，其中，形成所述泄漏防止区的步骤包括：在所述衬底表面执行离子注入。

15.如权利要求12所述的方法，其中，形成所述泄漏防止区的步骤包括：在所述衬底上执行外延生长。

16.如权利要求12所述的方法，其中，形成所述硅层的步骤包括：在所述泄漏防止区上执行外延生长。

17.如权利要求6所述的方法，其中，所述泄漏防止区包括含碳的层。