[发明专利]一种改善晶片良率的工艺控制方法和系统有效
| 申请号： | 201310009767.6 | 申请日： | 2013-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN103077882B | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 李健 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 马晓亚 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善晶片良率的工艺控制方法，包括判断当前批次晶片的下两个步骤即第一步骤和第二步骤的流片顺序；根据所述流片顺序计算所述第一步骤和第二步骤之间的最长等待时间。本发明充分考虑每片晶片的最长等待时间，并对最不利的晶片的等待时间加以控制，从而保证一个批次内每片晶片的等待时间都小于Queue Time。本发明还提供了一种改善晶片良率的工艺控制系统。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 晶片 工艺 控制 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种改善晶片良率的工艺控制方法，其特征在于，包括以下步骤：判断当前批次晶片的下两个步骤即第一步骤的流片顺序和第二步骤的流片顺序；根据所述第一步骤的流片顺序和所述第二步骤的流片顺序计算所述第一步骤与第二步骤之间的最长等待时间；其中，流片顺序包括：从当前批次晶片中的第一片加工至最后一片；或者从当前批次晶片中的最后一片加工至第一片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
