[发明专利]一种改善晶片良率的工艺控制方法和系统有效
| 申请号： | 201310009767.6 | 申请日： | 2013-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN103077882B | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 李健 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 马晓亚 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 晶片 工艺 控制 方法 系统 | ||
1.一种改善晶片良率的工艺控制方法，其特征在于，包括以下步骤：
判断当前批次晶片的下两个步骤即第一步骤和第二步骤的流片顺序；
根据所述流片顺序计算所述第一步骤与第二步骤之间的最长等待时间。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，如果所述第一步骤的流片顺序是从当前批次的第一片至最后一片，所述第二步骤的流片顺序是从当前批次的第一片至最后一片，则所述第一步骤与第二步骤之间的最长等待时间为：计算预设的当前批次第一片允许的最长等待时间减去当前批次在所述第一步骤流片的总时间；计算预设的当前批次最后一片允许的最长等待时间减去当前批次在所述第二步骤流片的总时间；取以上两个结果中的最小值。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，如果所述第一步骤的流片顺序是从当前批次的第一片至最后一片，所述第二步骤的流片顺序是从当前批次的最后一片至第一片，则所述第一步骤与第二步骤之间的最长等待时间为：计算预设的当前批次第一片允许的最长等待时间减去当前批次在所述第一步骤流片的总时间再减去当前批次在所述第二步骤流片的总时间。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，如果所述第一步骤的流片顺序是从当前批次的最后一片至第一片，所述第二步骤的流片顺序是从当前批次的第一片至最后一片，则所述第一步骤与第二步骤之间的最长等待时间为：计算预设的当前批次最后一片允许的最长等待时间减去当前批次在所述第一步骤流片的总时间再减去当前批次在所述第二步骤流片的总时间。
5.一种改善晶片良率的工艺控制系统，其特征在于，包括：
判断模块，用于判断当前批次晶片的下两个步骤即第一步骤和第二步骤的流片顺序；
计算模块，用于根据所述流片顺序类型计算所述第一步骤与第二步骤之间的最长等待时间。
6.如权利要求5所述的系统，其特征在于，所述判断模块如果判断所述第一步骤的流片顺序是从当前批次的第一片至最后一片，所述第二步骤的流片顺序是从当前批次的第一片至最后一片，则所述计算模块计算所述第一步骤与第二步骤之间的最长等待时间为：预设的当前批次第一片允许的最长等待时间减去当前批次在所述第一步骤流片的总时间；预设的当前批次最后一片允许的最长等待时间减去当前批次在所述第二步骤流片的总时间；取以上两个结果中的最小值。
7.如权利要求5所述的系统，其特征在于，所述判断模块如果判断所述第一步骤的流片顺序是从当前批次的第一片至最后一片，所述第二步骤的流片顺序是从当前批次的最后一片至第一片，则所述计算模块计算所述第一步骤与第二步骤之间的最长等待时间为：预设的当前批次第一片允许的最长等待时间减去当前批次在所述第一步骤流片的总时间再减去当前批次在所述第二步骤流片的总时间。
8.如权利要求5所述的系统，其特征在于，所述判断模块如果判断所述第一步骤的流片顺序是从当前批次的最后一片至第一片，所述第二步骤的流片顺序是从当前批次的第一片至最后一片，则所述计算模块计算所述第一步骤与第二步骤之间的最长等待时间为：预设的当前批次最后一片允许的最长等待时间减去当前批次在所述第一步骤流片的总时间再减去当前批次在所述第二步骤流片的总时间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
