[发明专利]一种改善晶片良率的工艺控制方法和系统

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制程技术领域，尤其涉及一种改善晶片良率的工艺控制方法和系统。

背景技术

在半导体制程中，排队时间（Queue Time）指的是从一个工艺步骤到下一个工艺步骤所能允许的最长等待时间，超过这一时间，就可能造成晶片的功能失效和报废。在半导体制程中有很多步骤之间都有Queue Time的控制要求。

现有的Queue Time控制方法是：在系统中设置两个步骤之间的最长等待时间(Queue Time)，当一批次的晶片，例如25片，到达第一步和到达第二步的时候，系统会提示作业员，一批次晶片在这两步之间的等待时间不能超过这个Queue Time，作业员会优先安排等待时间最长、最接近Queue Time的那个批次，从而保证每批次都不会因为超Queue Time而造成晶片低良。

上述现有方法是一种比较粗略和不科学的控制方法。因为比如一批次有25片，对于每一个工艺步骤，晶片都是一片一片的生产，第一片执行完第一步之后，还要等其他24片相继执行完第一步，才算整个批次完成了第一步工艺，即只有该批次25片都执行完第一步的时候，系统才开始计算和控制该批次在两步之间的等待时间，而实际此时第一片已经等了很久。现有方法仅考虑了该批次整体在两步之间的等待时间，而没有考虑每片晶片的实际等待时间，往往造成一部分晶片因等待过久而出现良率问题，而另一部分晶片等待时间较短而没有良率问题。如图1所示，靠前的几片晶片因为等待过久而产生了低良（中心位置），而其他晶片因为等待时间较短没有出现低良。

发明内容

本发明的目的在于提出一种改善晶片良率的工艺控制方法和系统，充分考虑每片晶片的最长等待时间，并对最不利的晶片的等待时间加以控制，从而保证一个批次内每片晶片的等待时间都小于Queue Time。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

一种改善晶片良率的工艺控制方法，包括以下步骤：

判断当前批次晶片的下两个步骤即第一步骤和第二步骤的流片顺序；

根据所述流片顺序类型计算所述第一步骤与第二步骤之间的最长等待时间。

如果所述第一步骤的流片顺序是从当前批次的第一片至最后一片，所述第二步骤的流片顺序是从当前批次的第一片至最后一片，则所述第一步骤与第二步骤之间的最长等待时间为：计算预设的当前批次第一片允许的最长等待时间减去当前批次在所述第一步骤流片的总时间；计算预设的当前批次最后一片允许的最长等待时间减去当前批次在所述第二步骤流片的总时间；取以上两个结果中的最小值。

如果所述第一步骤的流片顺序是从当前批次的第一片至最后一片，所述第二步骤的流片顺序是从当前批次的最后一片至第一片，则所述第一步骤与第二步骤之间的最长等待时间为：计算预设的当前批次第一片允许的最长等待时间减去当前批次在所述第一步骤流片的总时间再减去当前批次在所述第二步骤流片的总时间。

如果所述第一步骤的流片顺序是从当前批次的最后一片至第一片，所述第二步骤的流片顺序是从当前批次的第一片至最后一片，则所述第一步骤与第二步骤之间的最长等待时间为：计算预设的当前批次最后一片允许的最长等待时间减去当前批次在所述第一步骤流片的总时间再减去当前批次在所述第二步骤流片的总时间。

一种改善晶片良率的工艺控制系统，包括：

判断模块，用于判断当前批次晶片的下两个步骤即第一步骤和第二步骤的流片顺序；

计算模块，用于根据所述流片顺序类型计算所述第一步骤与第二步骤之间的最长等待时间。

所述判断模块如果判断所述第一步骤的流片顺序是从当前批次的第一片至最后一片，所述第二步骤的流片顺序是从当前批次的第一片至最后一片，则所述计算模块计算所述第一步骤与第二步骤之间的最长等待时间为：预设的当前批次第一片允许的最长等待时间减去当前批次在所述第一步骤流片的总时间；预设的当前批次最后一片允许的最长等待时间减去当前批次在所述第二步骤流片的总时间；取以上两个结果中的最小值。

所述判断模块如果判断所述第一步骤的流片顺序是从当前批次的第一片至最后一片，所述第二步骤的流片顺序是从当前批次的最后一片至第一片，则所述计算模块计算所述第一步骤与第二步骤之间的最长等待时间为：预设的当前批次第一片允许的最长等待时间减去当前批次在所述第一步骤流片的总时间再减去当前批次在所述第二步骤流片的总时间。