[发明专利]薄膜晶体管、数组基板及显示装置有效
| 申请号： | 201310008680.7 | 申请日： | 2013-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN103681871A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 叶佳俊;蔡学宏;林柏辛 | 申请（专利权）人： | 元太科技工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是有关于一种薄膜晶体管，适于设置于基板上。所述薄膜晶体管包括栅极层、绝缘层、载流子传输层、保护层、第一源/漏极层以及第二源/漏极层。栅极层配置于基板上。绝缘层配置于栅极层上。载流子传输层配置于绝缘层上。载流子传输层包括主动层以及迁移率增进层。保护层配置于主动层上。第一源/漏极层配置于主动层上。第二源/漏极层配置于主动层上。迁移率增进层包括第一元素。主动层包括第二元素。第一元素的电负度小于第二元素的电负度，以提高主动层的载流子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 数组 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，适于设置于基板上，其特征在于，其包括：栅极层，配置于该基板上；绝缘层，配置于该栅极层上；载流子传输层，配置于该绝缘层上，并且包括主动层以及迁移率增进层；保护层，配置于该主动层上；第一源/漏极层，配置于该主动层上，并且连接该主动层；以及第二源/漏极层，配置于该主动层上，并且连接该主动层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于元太科技工业股份有限公司，未经元太科技工业股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310008680.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高可靠可堆叠高速SOI二极管
- 下一篇：半导体元件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
