[发明专利]薄膜晶体管、数组基板及显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，适于设置于基板上，其特征在于，其包括：

栅极层，配置于该基板上；

绝缘层，配置于该栅极层上；

载流子传输层，配置于该绝缘层上，并且包括主动层以及迁移率增进层；

保护层，配置于该主动层上；

第一源/漏极层，配置于该主动层上，并且连接该主动层；以及

第二源/漏极层，配置于该主动层上，并且连接该主动层。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，其中该迁移率增进层包括第一元素，该主动层包括第二元素，该第一元素的电负度小于该第二元素的电负度，以提高该主动层的载流子迁移率。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，其中该迁移率增进层配置于该主动层上。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，其中该第一源/漏极层及该二源/漏极层配置于该保护层上，并且各自经由位于该保护层的接触孔与该主动层连接。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，其中该第一源/漏极层及该二源/漏极层配置于该绝缘层上，并且与该主动层及该绝缘层连接。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，其中该主动层配置于该迁移率增进层上。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，其中该迁移率增进层包括第一元素，该第一元素的电负度小于或等于1.81。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，其中该迁移率增进层的该第一元素是选自钙。

9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，其中该主动层的材料包括金属氧化物半导体。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管，其特征在于，其中该主动层包括第二元素，该第二元素为氧元素。

11.根据权利要求9所述的薄膜晶体管，其特征在于，其中该金属氧化物半导体包括氧化铟锌、氧化锌、掺铝氧化锌、氧化铟镓锌或其组合。

12.一种数组基板，其特征在于，其包括：

基板；以及

多个薄膜晶体管，设置于该基板上，各该薄膜晶体管包括：

栅极层，配置于该基板上；

绝缘层，配置于该栅极层上；

载流子传输层，配置于该绝缘层上，并且包括主动层以及迁移率增进层；

保护层，配置于该主动层上；

第一源/漏极层，配置于该主动层上，并且连接该主动层；以及

第二源/漏极层，配置于该主动层上，并且连接该主动层。

13.根据权利要求12所述的数组基板，其特征在于，其中该迁移率增进层包括第一元素，该主动层包括第二元素，该第一元素的电负度小于该第二元素的电负度，以提高该主动层的载流子迁移率。

14.根据权利要求12所述的数组基板，其特征在于，其中该迁移率增进层包括第一元素，该第一元素的电负度小于或等于1.81。

15.一种显示装置，其特征在于，其包括：

数组基板，具有基板及多个薄膜晶体管，其中该些薄膜晶体管设置于该基板上，且各该薄膜晶体管包括：

栅极层，配置于该数组基板上；

绝缘层，配置于该栅极层上；

载流子传输层，配置于该绝缘层上，并且包括主动层以及迁移率增进层；

保护层，配置于该主动层上；

第一源/漏极层，配置于该主动层上，并且连接该主动层；以及

第二源/漏极层，配置于该主动层上，并且连接该主动层；

对向基板，相对该数组基板设置；以及

显示层，设置于该数组基板与该对向基板之间。

16.根据权利要求15所述的显示装置，其特征在于，其中该迁移率增进层包括第一元素，该主动层包括第二元素，该第一元素的电负度小于该第二元素的电负度，以提高该主动层的载流子迁移率。

17.根据权利要求15所述的显示装置，其特征在于，其中该迁移率增进层包括第一元素，该第一元素的电负度小于或等于1.81。