[发明专利]薄膜晶体管、数组基板及显示装置

说明书

技术领域

本发明是有关于一种晶体管，特别是有关于一种应用于显示面板的薄膜晶体管。

背景技术

薄膜晶体管的构造依其各层结构的配置方式大致可区分为交错型(staggered)与共平面型(coplanar)。交错型的薄膜晶体管是在栅极层(或其绝缘层)与源/漏极层之间配置半导体层。共平面型的薄膜晶体管是在栅极层(或其绝缘层)与主动层之间配置源/漏极层。另外，根据源/漏极层的配置方式，薄膜晶体管的结构大致可区分为两侧源/漏极接触孔形式或者是岛状形式的源/漏极结构。

在薄膜晶体管的制作过程中，其主动层易受许多蚀刻液的损伤，因此在元件制作上，多以蚀刻阻挡层(etch stop layer，ESL)结构做为半导体上层蚀刻时的防护。就岛状形式的蚀刻阻挡层防护而言，其本身蚀刻时也会造成主动层受到影响。因此，为了降低主动层受影响的程度，目前发展出利用主动层上方两侧的接触孔与源/漏极层相接触的蚀刻阻挡层防护方式。但是由于此结构的源/漏极层与主动层的接触面积缩小，其结果将使得元件特性降低。因此，若能提升主动层的载流子迁移率，将可有效元件特性。

由此可见，上述现有的薄膜晶体管在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管，其主动层具有高载流子迁移率。

本发明的另一个目的在于提供一种数组基板，配置于其上的薄膜晶体管的主动层具有高载流子迁移率。

本发明的再一个目的在于提供一种显示装置，配置于其数组基板上的薄膜晶体管的主动层具有高载流子迁移率。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。本发明一种薄膜晶体管，适于设置于基板上。所述薄膜晶体管包括栅极层、绝缘层、载流子传输层、保护层、第一源/漏极层以及第二源/漏极层。栅极层配置于基板上。绝缘层配置于栅极层上。载流子传输层配置于绝缘层上。载流子传输层包括主动层以及迁移率增进层。保护层配置于主动层上。第一源/漏极层配置于主动层上。第二源/漏极层配置于主动层上。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

较佳的，前述的薄膜晶体管，其中该迁移率增进层包括一第一元素。主动层包括第二元素。第一元素的电负度小于第二元素的电负度，以提高主动层的载流子迁移率。

较佳的，前述的薄膜晶体管，其中该迁移率增进层配置于主动层上。

较佳的，前述的薄膜晶体管，其中该第一源/漏极层及第二源/漏极层配置于保护层上。第一源/漏极层及第二源/漏极层各自经由位于保护层的接触孔与主动层连接。

较佳的，前述的薄膜晶体管，其中该第一源/漏极层及第二源/漏极层配置于绝缘层上。第一源/漏极层及第二源/漏极层与主动层及绝缘层连接。

较佳的，前述的薄膜晶体管，其中该主动层配置于迁移率增进层上。

较佳的，前述的薄膜晶体管，其中该迁移率增进层包括第一元素，且第一元素的电负度小于或等于1.81。

较佳的，前述的薄膜晶体管，其中该第一元素是选自钙。

较佳的，前述的薄膜晶体管，其中该主动层的材料包括金属氧化物半导体。

较佳的，前述的薄膜晶体管，其中该主动层包括第二元素，且第二元素为氧元素。

较佳的，前述的薄膜晶体管，其中该金属氧化物半导体包括氧化铟锌、氧化锌、掺铝氧化锌、氧化铟镓锌或其组合。

本发明的目的及解决其技术问题另采用以下技术方案来实现的。本发明一种数组基板，包括基板以及多个薄膜晶体管。各该薄膜晶体管，设置于所述基板上。各该薄膜晶体管包括：栅极层，配置于该基板上；绝缘层，配置于该栅极层上；载流子传输层，配置于该绝缘层上，并且包括主动层以及迁移率增进层；保护层，配置于该主动层上；第一源/漏极层，配置于该主动层上，并且连接该主动层；以及第二源/漏极层，配置于该主动层上，并且连接该主动层。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

较佳的，前述的数组基板，其中该迁移率增进层包括第一元素，该主动层包括第二元素，该第一元素的电负度小于该第二元素的电负度，以提高该主动层的载流子迁移率。

较佳的，前述的数组基板，其中该迁移率增进层包括第一元素，该第一元素的电负度小于或等于1.81。