[发明专利]一种测试MOS管特性的测试电路及其方法有效
| 申请号: | 201310003944.X | 申请日: | 2013-01-07 |
| 公开(公告)号: | CN103913688A | 公开(公告)日: | 2014-07-09 |
| 发明(设计)人: | 邱海亮;蔡新春 | 申请(专利权)人: | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
| 代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
| 地址: | 100871 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种测试电路,用于对具有栅极、源极和漏极的MOS管的测试,包括:第一单刀单掷开关,该开关的第一触点与栅极连接,第二触点与源极连接;第二单刀单掷开关,该开关的第三触点与漏极连接,第四触点与源极连接;单刀双掷开关,该开关的第五触点与一电源装置连接,第六触点与漏极连接,第七触点与栅极连接;当第一触点与第二触点连通使栅极与源极短路,且第五触点与第六触点连通时,电源装置的电压加在漏极与源极之间,以测试MOS管的高温反偏特性;当第三触点与第四触点连通使漏极与源极短路,且第五触点与第七触点连通时,电源装置的电压加在栅极与源极之间,以测试MOS管的高温栅偏置特性。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 测试 mos 特性 电路 及其 方法 | ||
【主权项】:
一种测试电路,用于对包括有栅极、源极以及漏极的MOS管进行测试,其特征在于,所述测试电路包括:第一单刀单掷开关,所述第一单刀单掷开关具有第一触点及第二触点,所述第一触点与所述栅极连接,所述第二触点与所述源极连接;第二单刀单掷开关,所述第二单刀单掷开关具有第三触点及第四触点,所述第三触点与所述漏极连接,所述第四触点与所述源极连接;单刀双掷开关,所述单刀双掷开关具有第五触点,第六触点及第七触点,所述第五触点与一电源装置连接,所述第六触点与所述漏极连接,所述第七触点与所述栅极连接;其中,当所述第一触点与所述第二触点连通使所述栅极与所述源极处于短路状态,且当所述第五触点与所述第六触点连通时通过将所述电源装置的电压加在所述漏极与所述源极之间,测试所述MOS管的高温反偏特性;当所述第三触点与所述第四触点连通使所述漏极与所述源极处于短路状态,且当所述第五触点与所述第七触点连通时通过将所述电源装置的电压加在所述栅极与所述源极之间,用于测试所述MOS管的高温栅偏置特性。
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