[发明专利]一种测试MOS管特性的测试电路及其方法

权利要求书

1.一种测试电路，用于对包括有栅极、源极以及漏极的MOS管进行测试，其特征在于，所述测试电路包括：

第一单刀单掷开关，所述第一单刀单掷开关具有第一触点及第二触点，所述第一触点与所述栅极连接，所述第二触点与所述源极连接；

第二单刀单掷开关，所述第二单刀单掷开关具有第三触点及第四触点，所述第三触点与所述漏极连接，所述第四触点与所述源极连接；

单刀双掷开关，所述单刀双掷开关具有第五触点，第六触点及第七触点，所述第五触点与一电源装置连接，所述第六触点与所述漏极连接，所述第七触点与所述栅极连接；

其中，当所述第一触点与所述第二触点连通使所述栅极与所述源极处于短路状态，且当所述第五触点与所述第六触点连通时通过将所述电源装置的电压加在所述漏极与所述源极之间，测试所述MOS管的高温反偏特性；

当所述第三触点与所述第四触点连通使所述漏极与所述源极处于短路状态，且当所述第五触点与所述第七触点连通时通过将所述电源装置的电压加在所述栅极与所述源极之间，用于测试所述MOS管的高温栅偏置特性。

2.如权利要求1所述的测试电路，其特征在于，所述测试电路还包括一保护电阻，连接在所述第五触点与所述电源装置之间，用于当由于所述漏极与所述源极间处于所述短路状态，或者所述栅极与所述源极间处于短路状态而产生电流值大于一预设值的大电流时，保护所述测试电路。

3.如权利要求2所述的测试电路，其特征在于，所述测试电路还具有一保险装置，连接在所述保护电阻与所述电源装置之间，用于当所述MOS管失效产生电流值大于所述预设值的大电流后，保护所述测试电路。

4.如权利要求3所述的测试电路，其特征在于，所述保险装置具体为一保险丝，当所述MOS管失效产生所述大电流后，通过将所述保险丝烧断，切断所述电源装置与所述保护电阻间的连路，以保护所述测试电路。

5.如权利要求1-4任一权项所述的测试电路，其特征在于，所述电源装置具体为设置在所述测试电路内的电源装置，或者为一外接于所述测试电路的电源装置。

6.如权利要求5所述的测试电路，其特征在于，所述测试电路的所述源极与地连接，以使所述第二触点、所述源极与所述第四触点共同与所述地连接。

7.一种测试方法，应用于一测试电路中对包括有栅极、源极以及漏极的MOS管进行测试，其特征在于，所述测试电路包括：第一单刀单掷开关，所述第一单刀单掷开关具有第一触点及第二触点，所述第一触点与所述栅极连接，所述第二触点与所述源极连接；第二单刀单掷开关，所述第二单刀单掷开关具有第三触点及第四触点，所述第三触点与所述漏极连接，所述第四触点与所述源极连接；单刀双掷开关，所述单刀双掷开关具有第五触点，第六触点及第七触点，所述第五触点与一电源装置连接，所述第六触点与所述漏极连接，所述第七触点与所述栅极连接，所述方法包括：

通过将所述第一触点与所述第二触点连通，控制所述栅极与所述源极处于短路状态，并通过将所述第五触点与所述第六触点连通，将所述电源装置的电压加在所述漏极与所述源极之间，以测试所述MOS管的高温反偏特性；或者

通过将所述第三触点与所述第四触点连通，控制所述漏极与所述源极处于短路状态，并通过将所述第五触点与所述第七触点连通，将所述电源装置的电压加在所述栅极与所述源极之间，以测试所述MOS管的高温栅偏置特性。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述测试电路还包括：

保护电阻，连接在所述第五触点与一电源装置之间，用于当由于所述漏极与所述源极间处于所述短路状态，或者所述栅极与所述源极间处于短路状态而产生电流值大于一预设值的大电流时，保护所述测试电路；

保险装置，连接在所述保护电阻与所述电源装置之间，用于当所述MOS管失效产生电流值大于所述预设值的大电流后，保护所述测试电路。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，

当所述保险装置具体为保险丝时，所述方法还包括：

将所述MOS管失效时产生的所述大电流传输至所述保险丝；

通过所述大电流将所述保险丝烧断，以切断所述电源装置与所述保护电阻间的连路，以保护所述测试电路。

10.如权利要求8-9任一权项所述的方法，其特征在于，所述电源装置具体为设置在所述测试电路内的电源装置，或者为一外接于所述测试电路的电源装置。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：通过将所述测试电路的所述源极与地连接，控制所述第二触点、所述源极与所述第四触点共同与所述地连接。