[发明专利]一种测试MOS管特性的测试电路及其方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造的测试领域，具体涉及一种测试MOS管特性的测试电路及其方法

背景技术

半导体制造中，在POWER MOS管生产出来以后并不能立即投入使用，而是要利用相关的可靠性试验对该MOS管的可靠性能以及实际使用寿命进行测试，而MOS管的HTRB（高温反偏）及HTGB（高温栅偏置）特性是MOS管的两项非常重要的可靠性项目，其中，高温反偏特性反映了MOS管在高温下验证PN结的反向击穿特性，高温栅偏置则反映了MOS管在高温下栅氧的质量情况。

现有技术中测试MOS管的特性的电路图如图1和图2所示，其中，图1是针对N-channel POWER MOS管的HTRB特性的测试电路图，P-channel POWER MOS管应使所加的电压反向，从图中可以看出，HTRB实验时，MOS管的栅极G与源极S短接，一偏压通过串联一电阻R后加在漏极D与源级S之间，电阻R的作用为当漏极D与源极S击穿的时候避免电路短路从而引起大电流损坏测试电路。图2是针对N-channel MOS管的HTGB特性的测试电路图，P-channel POWER MOS管仍应使所加的电压反向，从图中可以看出，HTGB实验时，MOS管的漏极D与源极S短接，一偏压通过串联一电阻R后加在栅极G与源级S之间，电阻R同样为保护设备的作用。

本发明申请人在实施本申请实施例的过程中发现现有技术存在如下技术问题：

现有技术针对MOS管的高温反偏特性及高温栅偏置特性的测试电路在同一时间里只能测试高温反偏特性和高温栅偏置特性中的一个，不能对两种特性同时进行测试，并且也不能批量的测试MOS管的高温反偏特性及高温栅偏置特性。

发明内容

本申请实施例提供一种测试MOS管高温反偏和高温栅偏置特性的测试电路，可以解决现有技术中不能同时测试MOS管的高温反偏和高温栅偏置特性的技术问题。

为了解决上述问题，本申请实施例提供了一种测试MOS管高温反偏和高温栅偏置特性的测试电路，该测试电路用于对包括有栅极、源极以及漏极的MOS管进行高温反偏和高温栅偏置特性的测试，所述测试电路包括：

第一单刀单掷开关，所述第一单刀单掷开关具有第一触点及第二触点，所述第一触点与所述栅极连接，所述第二触点与所述源极连接；

第二单刀单掷开关，所述第二单刀单掷开关具有第三触点及第四触点，所述第三触点与所述漏极连接，所述第四触点与所述源极连接；

单刀双掷开关，所述单刀双掷开关具有第五触点，第六触点及第七触点，所述第五触点与一电源装置连接，所述第六触点与所述漏极连接，所述第七触点与所述栅极连接；

其中，当所述第一触点与所述第二触点连通使所述栅极与所述源极处于短路状态，且当所述第五触点与所述第六触点连通时通过将所述电源装置的电压加在所述漏极与所述源极之间，测试所述MOS管的高温反偏特性；

当所述第三触点与所述第四触点连通使所述漏极与所述源极处于短路状态，且当所述第五触点与所述第七触点连通时通过将所述电源装置的电压加在所述栅极与所述源极之间，用于测试所述MOS管的高温栅偏置特性。

优选地，所述测试电路还包括一保护电阻，连接在所述第五触点与所述电源装置之间，用于当由于所述漏极与所述源极间处于所述短路状态，或者所述栅极与所述源极间处于短路状态而产生电流值大于一预设值的大电流时，保护所述测试电路。

优选地，所述测试电路还具有一保险装置，连接在所述保护电阻与所述电源装置之间，用于当所述MOS管失效产生电流值大于所述预设值的大电流后，保护所述测试电路。

优选地，所述保险装置具体为一保险丝，当所述MOS管失效产生所述大电流后，通过将所述保险丝烧断，切断所述电源装置与所述保护电阻间的连路，以保护所述测试电路。

优选地，所述电源装置具体为设置在所述测试电路内的电源装置，或者为一外接于所述测试电路的电源装置。

优选地，所述测试电路的所述源极与地连接，以使所述第二触点、所述源极与所述第四触点共同与所述地连接。