[发明专利]高压覆晶LED结构及其制造方法

摘要

本发明是有关于一种高压覆晶LED结构及其制造方法，其中制造方法包括下列步骤：提供芯片基板；沉积第一钝化层；形成共电连层；沉积第二钝化层；沉积镜面层；蚀刻两导电通道；以及设置两接合金属层。芯片基板包括蓝宝石基板及其上的多个LED芯片，在形成第一钝化层后形成全透明的共电连层使LED芯片彼此电性串联。接着，沉积第二钝化层成为平坦的钝化表面，借此让形成于其上的镜面层能具有相同的水平高度，使反射出的光线不具有光程差。最后设置接合金属层以供导电。本发明可得到全透明电极且出光不具光程差的高压覆晶LED结构。

主权项

一种高压覆晶LED结构的制造方法，其特征在于包括：提供芯片基板，其中该芯片基板包括：蓝宝石基板；及多个LED芯片，彼此分离地形成于该蓝宝石基板上，每一该LED芯片由下往上形成N型层、量子井层、P型层及透明导电氧化物层，且该N型层露出N型表面，所述LED芯片包括第一LED芯片及第二LED芯片；沉积第一钝化层，其在所述LED芯片周围沉积该第一钝化层；形成共电连层，其在除去位在每一该透明导电氧化物层及每一该N型表面上的该第一钝化层后，分别于每一该透明导电氧化物层及每一该N型表面上形成第一电连层及第二电连层，并形成第三电连层以连接该LED芯片的该第一电连层及相邻的另一该LED芯片的该第二电连层，该第一电连层、该第二电连层及该第三电连层构成该共电连层；沉积第二钝化层，其沉积于该第一钝化层及该共电连层上并形成平坦的钝化表面；沉积镜面层，其在该钝化表面上沉积该镜面层；蚀刻两导电通道，其分别由该镜面层往下蚀刻至该第一LED芯片的该第一电连层及往下蚀刻至该第二LED芯片的该第二电连层以形成所述导电通道；以及设置两接合金属层，其分别在每一该导电通道填充接合金属，并设置所述接合金属层于该镜面层上，以分别与该接合金属接合，且所述接合金属层彼此分离。