[发明专利]高压覆晶LED结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种LED结构及其制造方法，特别是涉及一种高压覆晶LED结构及其制造方法。

背景技术

近几年，发光二极管(LED)已经渐渐成为照明市场的主要产品，其小巧、高效能及环保等特性受到肯定。因此，各大厂商无不致力于开发更高发光效率、高良率的LED结构及其工艺。

图1为现有习知的一种覆晶LED结构。如图1所示，现有习知的一种覆晶LED结构100包括：LED基板110、N极电极150、P极电极160、焊垫140、阻隔层180、反射层120、图案化绝缘层170、导电层190及磊晶叠层130。其中，磊晶叠层130包括：N型半导体层131、发光层132及P型半导体层133。为了增加出光率，现有习知的覆晶LED结构100会使用反射层120将发光层132发出的光线反射，使其向正向出光。然而，反射层120的高度不同，会造成被反射的光线间具有光程差。

目前，高压LED结构可通过在同一基板上串联多个LED芯片磊晶结构而达成。已知高压LED结构可以简化LED封装工艺、提升发光效率，并且在未来照明市场有极大的竞争潜力，因此如何利用高压LED结构，设计出能够大幅改良上述光程差的高压覆晶LED结构是个重要的课题。

发明内容

本发明的目的在于，克服现有的覆晶LED结构存在的问题，而提供一种高压覆晶LED结构及其制造方法，其中制造方法包括下列步骤：提供一芯片基板；沉积第一钝化层；形成共电连层；沉积第二钝化层；沉积镜面层；蚀刻两导电通道；以及设置两接合金属层。本发明所要解决的技术问题包括：制造出一种具有全透明电极且反射层在同一平面的高压覆晶LED结构。

本发明提供一种高压覆晶LED结构的制造方法，包括：提供芯片基板，其中芯片基板包括：蓝宝石基板；及多个LED芯片，彼此分离地形成于蓝宝石基板上，每一LED芯片由下往上形成N型层、量子井层、P型层及透明导电氧化物层，且N型层露出N型表面，所述LED芯片包括第一LED芯片及第二LED芯片；沉积第一钝化层，其在所述LED芯片周围沉积第一钝化层；形成共电连层，其在除去位在每一透明导电氧化物层及每一N型表面上的第一钝化层后，分别于每一透明导电氧化物层及每一N型表面上形成第一电连层及第二电连层，并形成第三电连层以连接LED芯片的第一电连层及相邻的另一LED芯片的第二电连层，第一电连层、第二电连层及第三电连层构成共电连层；沉积第二钝化层，其沉积于第一钝化层及共电连层上并形成平坦的钝化表面；沉积镜面层，其在钝化表面上沉积镜面层；蚀刻两导电通道，其分别由镜面层往下蚀刻至第一LED芯片的第一电连层及往下蚀刻至第二LED芯片的第二电连层以形成所述导电通道；以及设置两接合金属层，其分别在每一导电通道填充接合金属，并设置所述接合金属层于镜面层上，以分别与接合金属接合，且所述接合金属层彼此分离。

较佳的，前述的制造方法，其中其进一步包括形成多个微结构于该蓝宝石基板的背侧表面。

较佳的，前述的制造方法，其中其进一步包括结合电路板，其以所述接合金属层与该电路板上的导电金属电性连接。

较佳的，前述的制造方法，其中该镜面层由分布布拉格反射镜及金属组成。

较佳的，前述的制造方法，其中该金属为铝或银。

较佳的，前述的制造方法，其中所述接合金属层的表面电镀有金薄膜。

本发明又提供一种高压覆晶LED结构，其包括：芯片基板，其中芯片基板包括：蓝宝石基板；及多个LED芯片，彼此分离地形成于蓝宝石基板上，每一LED芯片由下往上形成N型层、量子井层、P型层及透明导电氧化物层，且N型层露出N型表面，所述LED芯片包括第一LED芯片及第二LED芯片；第一钝化层，其设置于每一LED芯片的侧边；共电连层，其包括：第一电连层，其位于每一透明导电氧化物层上；第二电连层，其位于每一N型表面上；及第三电连层，其连接每一相邻的第一电连层及第二电连层并覆盖于每一LED芯片侧边的第一钝化层；第二钝化层，其包覆第一钝化层及共电连层以形成平坦的钝化表面；镜面层，其设置于钝化表面上；两接合金属，其穿过镜面层及第二钝化层以分别与第一LED芯片的第一电连层及第二LED芯片的第二电连层相接；以及两接合金属层，其分别设置于镜面层上并与所述接合金属接合，且所述接合金属层彼此分离。

较佳的，前述的高压覆晶LED结构，其中其进一步包括电路板，其以导电金属与所述接合金属层电性连接。

较佳的，前述的高压覆晶LED结构，其中该镜面层由分布布拉格反射镜及金属组成。

较佳的，前述的高压覆晶LED结构，其中该金属为铝或银。