[发明专利]高压覆晶LED结构及其制造方法

权利要求书

1.一种高压覆晶LED结构的制造方法，其特征在于包括：

提供芯片基板，其中该芯片基板包括：蓝宝石基板；及多个LED芯片，彼此分离地形成于该蓝宝石基板上，每一该LED芯片由下往上形成N型层、量子井层、P型层及透明导电氧化物层，且该N型层露出N型表面，所述LED芯片包括第一LED芯片及第二LED芯片；

沉积第一钝化层，其在所述LED芯片周围沉积该第一钝化层；

形成共电连层，其在除去位在每一该透明导电氧化物层及每一该N型表面上的该第一钝化层后，分别于每一该透明导电氧化物层及每一该N型表面上形成第一电连层及第二电连层，并形成第三电连层以连接该LED芯片的该第一电连层及相邻的另一该LED芯片的该第二电连层，该第一电连层、该第二电连层及该第三电连层构成该共电连层；

沉积第二钝化层，其沉积于该第一钝化层及该共电连层上并形成平坦的钝化表面；

沉积镜面层，其在该钝化表面上沉积该镜面层；

蚀刻两导电通道，其分别由该镜面层往下蚀刻至该第一LED芯片的该第一电连层及往下蚀刻至该第二LED芯片的该第二电连层以形成所述导电通道；以及

设置两接合金属层，其分别在每一该导电通道填充接合金属，并设置所述接合金属层于该镜面层上，以分别与该接合金属接合，且所述接合金属层彼此分离。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于进一步包括形成多个微结构于该蓝宝石基板的背侧表面。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于进一步包括结合电路板，其以所述接合金属层与该电路板上的导电金属电性连接。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于其中该镜面层由分布布拉格反射镜及金属组成。

5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于其中该金属为铝或银。

6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于其中所述接合金属层的表面电镀有金薄膜。

7.一种高压覆晶LED结构，其特征在于包括：

芯片基板，其中该芯片基板包括：蓝宝石基板；及多个LED芯片，彼此分离地形成于该蓝宝石基板上，每一该LED芯片由下往上形成N型层、量子井层、P型层及透明导电氧化物层，且该N型层露出N型表面，所述LED芯片包括第一LED芯片及第二LED芯片；

第一钝化层，其设置于每一该LED芯片的侧边；

共电连层，其包括：第一电连层，其位于每一该透明导电氧化物层上；第二电连层，其位于每一该N型表面上；及第三电连层，其连接每一相邻的该第一电连层及该第二电连层并覆盖于每一该LED芯片侧边的该第一钝化层；

第二钝化层，其包覆该第一钝化层及该共电连层以形成平坦的钝化表面；

镜面层，其设置于该钝化表面上；

两接合金属，其穿过该镜面层及该第二钝化层以分别与该第一LED芯片的该第一电连层及该第二LED芯片的该第二电连层相接；以及

两接合金属层，其分别设置于该镜面层上并与所述接合金属接合，且所述接合金属层彼此分离。

8.如权利要求7所述的高压覆晶LED结构，其特征在于其进一步包括电路板，其以导电金属与所述接合金属层电性连接。

9.如权利要求7所述的高压覆晶LED结构，其特征在于其中该镜面层由分布布拉格反射镜及金属组成。

10.如权利要求9所述的高压覆晶LED结构，其特征在于其中该金属为铝或银。

11.如权利要求7所述的高压覆晶LED结构，其特征在于其中所述接合金属层的表面电镀有金薄膜。

12.如权利要求7所述的高压覆晶LED结构，其特征在于其中该蓝宝石基板的背侧表面进一步包括多个微结构。