[发明专利]一种超结垂直氮化镓基异质结场效应晶体管

摘要

本发明提供了一种超结垂直氮化镓基异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由漏极，n+‑GaN衬底，GaN沟道层，AlGaN势垒层，以及AlGaN势垒层上的源极和栅极组成，源极与漏极均为欧姆接触，栅极为肖特基接触，其还包括由p‑GaN缓冲层和n‑GaN缓冲层竖向排列形成的超结缓冲层，所述的超结缓冲层位于n+‑GaN衬底与GaN沟道层之间。本发明中，由p‑GaN缓冲层和n‑GaN缓冲层形成的超结结构可以在器件击穿时完全耗尽，器件整个缓冲层都可以承受耐压，从而大幅提升器件击穿电压。

主权项

一种超结垂直氮化镓基异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由漏极（306），n+‑GaN衬底（305），GaN沟道层（304），AlGaN势垒层（303），以及AlGaN势垒层（303）上的源极（301）和栅极（302）组成，源极（301）与漏极（306）均为欧姆接触，栅极（302）为肖特基接触，其特征在于：还包括位于n+‑GaN衬底（305）与GaN沟道层（304）之间，并由p‑GaN缓冲层（307）和n‑GaN缓冲层（308）排列形成的超结缓冲层；所述的超结缓冲层由n‑GaN缓冲层（308）以及分别位于n‑GaN缓冲层（308）两边的p‑GaN缓冲层（307）组成；所述n‑GaN缓冲层（308）掺杂浓度为1×1016cm‑3，p‑GaN缓冲层（307）掺杂浓度为1×1017cm‑3；所述AlGaN势垒层（303）厚度为15nm，且GaN沟道层（304）厚度为10nm。