[发明专利]一种超结垂直氮化镓基异质结场效应晶体管

权利要求书

1.一种超结垂直氮化镓基异质结场效应晶体管，从下至上依次主要由漏极（306），n⁺-GaN衬底（305），GaN沟道层（304），AlGaN势垒层（303），以及AlGaN势垒层（303）上的源极（301）和栅极（302）组成，源极（301）与漏极（306）均为欧姆接触，栅极（302）为肖特基接触，其特征在于：还包括位于n⁺-GaN衬底（305）与GaN沟道层（304）之间，并由p-GaN缓冲层（307）和n-GaN缓冲层（308）排列形成的超结缓冲层；所述的超结缓冲层由n-GaN缓冲层（308）以及分别位于n-GaN缓冲层（308）两边的p-GaN缓冲层（307）组成；所述n-GaN缓冲层（308）掺杂浓度为1×10¹⁶cm^-3，p-GaN缓冲层（307）掺杂浓度为1×10¹⁷cm^-3；所述AlGaN势垒层（303）厚度为15nm，且GaN沟道层（304）厚度为10nm。

2.根据权利要求1所述的一种超结垂直氮化镓基异质结场效应晶体管，其特征在于：所述栅极（302）长度大于n-GaN缓冲层（308）的长度L_n-buf，且部分覆盖n-GaN缓冲层（308）两边的p-GaN缓冲层（307）。

3.根据权利要求2所述的一种超结垂直氮化镓基异质结场效应晶体管，其特征在于：所述n-GaN缓冲层（308）长度为0.2μm至50μm。

4.根据权利要求2或3所述的一种超结垂直氮化镓基异质结场效应晶体管，其特征在于：所述n-GaN缓冲层（308）与两边的p-GaN缓冲层（307）长度相等，均为0.2μm至50μm。

5.根据权利要求4所述的一种超结垂直氮化镓基异质结场效应晶体管，其特征在于：所述n-GaN缓冲层（308）两边的p-GaN缓冲层（307）掺杂浓度相等。

6.根据权利要求5所述的一种超结垂直氮化镓基异质结场效应晶体管，其特征在于：所述n-GaN缓冲层（308）与两边的p-GaN缓冲层（307）厚度相等。

7.根据权利要求6所述的一种超结垂直氮化镓基异质结场效应晶体管，其特征在于：所述n-GaN缓冲层（308）与两边的p-GaN缓冲层（307）厚度均为1μm至500μm。