[其他]具有双端存储器胞元的存储器阵列架构有效
| 申请号： | 201290000773.4 | 申请日： | 2012-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN204144258U | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | H·纳扎里安 | 申请（专利权）人： | 科洛斯巴股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 许向彤;陈英俊 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种存储器阵列包括：沿第一方向延伸的字线；沿第二方向延伸的位线；存储器单元，所述存储器单元具有耦接至所述位线的读取晶体管、至少一个双端存储器胞元，以及选择晶体管，所述双端存储器胞元具有耦接至所述字线的第一末端以及耦接至所述读取晶体管的栅极的第二末端。所述双端存储器胞元的所述第二末端耦接至由所述选择晶体管的漏极和所述读取晶体管的栅极所共用的共同节点。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 存储器 阵列 架构 | ||
【主权项】：
一种存储器阵列，包括： 字线，沿第一方向延伸； 位线，沿第二方向延伸；以及 具有耦接至所述位线的读取晶体管的存储器单元、至少一个双端存储器胞元，以及选择晶体管，所述双端存储器胞元具有耦接至所述字线的第一末端以及耦接至所述读取晶体管的栅电极的第二末端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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