[其他]具有双端存储器胞元的存储器阵列架构

权利要求书

1.一种存储器阵列，包括： 

字线，沿第一方向延伸； 

位线，沿第二方向延伸；以及 

具有耦接至所述位线的读取晶体管的存储器单元、至少一个双端存储器胞元，以及选择晶体管，所述双端存储器胞元具有耦接至所述字线的第一末端以及耦接至所述读取晶体管的栅电极的第二末端。 

2.如权利要求1所述的存储器阵列，其中所述双端存储器胞元的所述第二末端耦接至由所述选择晶体管的漏电极和所述读取晶体管的所述栅电极所共用的共同节点。 

3.如权利要求2所述的存储器阵列，其中所述器件具有多个字线，并且其中所述存储器单元具有多个双端存储器胞元，每一个双端存储器胞元具有耦接至所述字线中的一个字线的第一末端以及耦接至所述共同节点的第二末端。 

4.如权利要求3所述的存储器阵列，进一步包括： 

耦接至所述选择晶体管的源电极的源极线；以及 

耦接至所述选择晶体管的栅电极的选择线。 

5.如权利要求4所述的存储器阵列，进一步包括： 

多个字线，所述字线为所述多个字线中的一个字线，其中所述多个字线具有第一组字线、第二组字线以及第三组字线； 

多个存储器单元，所述存储器单元为所述多个存储器单元中的一个存储器单元，其中所述多个存储器单元具有第一行存储器单元、第二行存储器单元以及第三行存储器单元，并且 

其中所述第一组字线关联于所述第一行存储器单元，所述第二组字线关联于所述第二行存储器单元，而所述第三组字线关联于所述第三行存储器单元。 

6.如权利要求5所述的存储器阵列，其中每一个存储器单元包括多个双端存储器胞元，在每一个存储器单元中每一个存储器单元具有连接至所述字线中的一个字线的一个末端以及连接至所述共同节点的另一末端。 

7.如权利要求6所述的存储器阵列，其中在每一个存储器单元中的所述双端存储器胞元被配置成与在同一存储器单元中的其他双端存储器胞元独立地存取。 

8.如权利要求7所述的存储器阵列，其中每一个双端存储器胞元包括顶电极、切换介质以及底电极，其中所述顶电极包括银，所述切换介质包括非晶硅，而所述底电极包括多晶硅。 

9.如权利要求8所述的存储器阵列，其中所述双端存储器胞元为电阻型存储器胞元，被配置成具有高阻态和低阻态。 

10.如权利要求1所述的存储器阵列，其中所述双端存储器单元包括从由电阻型存储器胞元、相变存储器(PCRAM)胞元、磁阻型随机存取存储器(MRAM)胞元以及自旋转移力矩RAM(STT-RAM)胞元组成的组中选出的一种。 

11.如权利要求1所述的存储器阵列，进一步包括： 

耦接至所述选择晶体管的源电极的源极线；以及 

耦接至所述选择晶体管的栅电极的选择线， 

其中所述双端存储器胞元的所述第二末端耦接至由所述选择晶体管的漏电极和所述读取晶体管的所述栅电极所共用的共同节点， 

其中所述器件具有多个字线，并且其中所述存储器单元具有多个双端存储器胞元，每一个双端存储器胞元具有耦接至所述字线中的一个字线的第一末端以及耦接至所述共同节点的第二末端，并且 

其中每一个双端存储器胞元包括设置所述第一末端与所述第二末端之间的切换介质，其中所述第一末端包括银，所述切换介质包括非晶硅，而所述第二末端包括多晶硅。