[发明专利]BAW部件、BAW部件的叠层和用于制造BAW部件的方法,所述BAW部件包括两个不同的堆叠压电材料有效
申请号: | 201280077848.3 | 申请日: | 2012-12-21 |
公开(公告)号: | CN104854793B | 公开(公告)日: | 2018-08-21 |
发明(设计)人: | G.穆拉尔 | 申请(专利权)人: | 快速追踪有限公司 |
主分类号: | H03H9/02 | 分类号: | H03H9/02;H03H3/04;H03H9/70;H01H1/00;H01H57/00;H01L41/09;H03H9/17 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张金金;付曼 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 提供改进的BAW部件、BAW部件的叠层和用于制造BAW部件的方法。BAW部件的叠层(L)包括具有第一压电材料的第一层(PM1)和具有第二压电材料的第二层(PM2),该第二压电材料与该第一压电材料不同。第一和第二压电材料可以分别是Sc掺杂AlN和AlN。公开用于制造具有不同谐振频率或开关闭合电压的多个BAW部件的方法。部件包括具有不同蚀刻选择性的两个压电层的堆叠并且方法牵涉在选择的部件中去除其中一个层。 | ||
搜索关键词: | baw 部件 用于 制造 方法 包括 两个 不同 堆叠 压电 材料 | ||
【主权项】:
1.一种BAW部件(BAWC),其包括:第一BAW谐振器(BAWR1),其具有第一底部电极(BE)、第一顶部电极(TE)和所述第一底部电极(BE)与所述第一顶部电极(TE)之间的叠层(L),承载芯片(CS),和第二BAW谐振器(BAWR2),其由第二底部电极、第二顶部电极和所述第二底部电极和所述第二顶部电极之间的压电层构成,其中所述叠层(L)包括具有是掺杂Sc的AlN的第一压电材料(PM1)的第一层和设置在所述第一层上的具有是AlN的第二压电材料(PM2)的第二层,其中所述第一BAW谐振器(BAWR1)和所述第二BAW谐振器(BAWR2)设置在所述承载芯片(CS)上,所述第一BAW谐振器(BAWR1)的叠层(L)具有第一厚度,所述压电层是第一压电材料的层且基本没有所述第二压电材料,所述压电层具有与所述第一厚度不同的第二厚度。
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