[发明专利]BAW部件、BAW部件的叠层和用于制造BAW部件的方法，所述BAW部件包括两个不同的堆叠压电材料

权利要求书

1.一种BAW部件（BAWC），其包括：

第一BAW谐振器（BAWR1），其具有第一底部电极（BE）、第一顶部电极（TE）和所述第一底部电极（BE）与所述第一顶部电极（TE）之间的叠层（L），

承载芯片（CS），和

第二BAW谐振器（BAWR2），其由第二底部电极、第二顶部电极和所述第二底部电极和所述第二顶部电极之间的压电层构成，其中

所述叠层（L）包括具有是掺杂Sc的AlN的第一压电材料（PM1）的第一层和设置在所述第一层上的具有是AlN的第二压电材料（PM2）的第二层，

其中所述第一BAW谐振器（BAWR1）和所述第二BAW谐振器（BAWR2）设置在所述承载芯片（CS）上，

所述第一BAW谐振器（BAWR1）的叠层（L）具有第一厚度，

所述压电层是第一压电材料的层且基本没有所述第二压电材料，所述压电层具有与所述第一厚度不同的第二厚度。

2.如权利要求1所述的BAW部件（BAWC），其中

所述第一压电材料（PM1）和所述第二压电材料（PM2）关于蚀刻剂具有不同的蚀刻选择性。

3.如权利要求2所述的BAW部件（BAWC），其中所述蚀刻剂是湿蚀刻剂。

4.如权利要求3所述的BAW部件（BAWC），其中所述蚀刻剂包括2.36%的四甲基羟铵结合润湿剂。

5.如权利要求2所述的BAW部件（BAWC），其中所述蚀刻剂是干蚀刻剂。

6.如权利要求1-5中任一项所述的BAW部件（BAWC），其中所述部件（BAWC）是双工器并且所述第一BAW谐振器（BAWR1）是所述双工器的TX滤波器的谐振器。

7.用于制造BAW部件（BAWC）的方法，其包括以下步骤：

提供承载芯片，

在所述承载芯片上提供第一底部电极（BE），

在所述承载芯片上提供第二底部电极，

在所述第一底部电极（BE）上设置包含掺杂Sc的AlN的第一压电材料（PM1）的第一层，

在所述第二底部电极（BE）上设置所述第一压电材料（PM1）的第二层，

在所述第一压电材料（PM1）的所述第一层上设置与所述第一压电材料（PM1）不同的第二压电材料（PM2）的第一层，

在所述第一压电材料（PM1）的所述第二层上设置所述第二压电材料（PM2）的第二层，

在之前规定区域选择性地去除所述第二压电材料的所述第二层，

在选择性地去除所述第二压电材料（PM2）的所述第二层之后，在所述第一压电材料（PM1）的所述第二层上设置第一顶部电极（TE），以及

在所述第二压电材料（PM2）的所述第一层上设置第二顶部电极（TE）。