[发明专利]元件结构体以及元件结构体的制造方法无效
申请号: | 201280067681.2 | 申请日: | 2012-10-30 |
公开(公告)号: | CN104067692A | 公开(公告)日: | 2014-09-24 |
发明(设计)人: | 加藤裕子;冈正;矢岛贵浩;内田一也;大森大辅 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
主分类号: | H05B33/04 | 分类号: | H05B33/04;H01L51/50;H05B33/10 |
代理公司: | 北京华夏正合知识产权代理事务所(普通合伙) 11017 | 代理人: | 韩登营;栗涛 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种保护元件免受氧气、水分等的侵害,能够抑制元件劣化等的元件结构体以及元件结构体的制造方法。元件结构体(1)具有基板(2)、器件层(3)、第1保护层(4)、第2保护层(5)以及密封层(6)。器件层(3)形成于基板2上的第1区域(11)。第1保护层(4)由无机物构成,具有形成于器件层(3)周围的第1边缘部(4A),覆盖器件层(3),形成于基板(2)上包含第1区域(11)的第2区域(12)。第2保护层(5)由有机物构成,形成于第1保护层(4)上与第2区域(12)相对应的第3区域(13)。密封层(6)由无机物构成,具有形成于第1边缘部(4A)与第2保护层(5)周围的第2边缘部(6A),覆盖第2保护层(5),形成于基板(2)上包含第2区域(12)的第4区域(14)。 | ||
搜索关键词: | 元件 结构 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种元件结构体,具有基板、器件层、第1保护层、第2保护层以及密封层,其中,所述器件层形成于所述基板上的第1区域,所述第1保护层由无机物构成,具有形成于所述器件层周围的第1边缘部,形成于包含所述第1区域的所述基板上的第2区域,所述第2保护层由有机物构成,形成于前述第1保护层上与所述第2区域相对应的第3区域,所述密封层由无机物构成,具有形成于所述第1边缘部与所述第2保护层的周围的第2边缘部,形成于所述基板上包含所述第2区域的第4区域。
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