[发明专利]用于自旋矩MRAM的混合读取方案有效
| 申请号： | 201280066616.8 | 申请日： | 2012-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN104040632A | 公开（公告）日： | 2014-09-10 |
| 发明（设计）人： | S·M·阿拉姆;T·安德烈;C·苏博拉玛尼安 | 申请（专利权）人： | 艾沃思宾技术公司 |
| 主分类号： | G11C11/00 | 分类号： | G11C11/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种从自旋矩磁电阻存储器阵列中的多个比特读取数据的方法，包括：执行所述比特的一个或多个参考读取操作，以及执行任何未通过所述参考读取操作成功读取的比特的破坏性自参考读取操作，例如，破坏性自参考读取操作。所述参考读取操作可以与所述破坏性自参考读取操作同时发起或在所述破坏性自参考读取操作之前发起。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 自旋 mram 混合 读取 方案 | ||
【主权项】：
一种从自旋矩磁电阻存储器阵列中的多个比特读取数据的方法，所述方法包括：完成至少一个参考读取操作和至少一个自参考读取操作。
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