[发明专利]用于自旋矩MRAM的混合读取方案

权利要求书

1.一种从自旋矩磁电阻存储器阵列中的多个比特读取数据的方法，所述方法包括：

完成至少一个参考读取操作和至少一个自参考读取操作。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述参考读取操作在所述自参考读取操作之前完成。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述参考读取操作与所述自参考读取操作的至少一部分同时地发生。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述自参考读取操作是破坏性自参考读取操作，并且所述破坏性自参考读取操作包括，对于所述比特中的每一个：

跨所述比特施加读取偏置电压；

将通过所述比特的第一电流转换为栅极电压；

存储所述栅极电压；

施加第二电流以将所述比特复位到预定的状态；

跨所述比特重新施加所述读取偏置电压；

确定通过所述比特的第三电流；

通过将所述第三电流和偏移电流的和与所述第一电流进行比较产生评估电压；以及

如果所述评估电压小于所存储的栅极电压，则施加第四电流以将所述比特写入成与所述预定的状态相反。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述比特的平均低比特电阻或平均高比特电阻中的至少一个被用于所述参考读取操作。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述参考读取操作使用可编程电流或可编程电压以用于参考。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述参考读取操作包括，对于所述比特中每一个：

跨所述比特施加读取偏置电压；

将通过所述比特的第一电流转换为栅极电压；

存储所述栅极电压；

利用对于低状态或高状态中一方的平均电阻产生输出电压；以及

将所述输出电压与所存储的栅极电压进行比较，以确定所述比特的状态。

8.一种从自旋矩磁电阻存储器阵列中的多个比特读取数据的方法，所述方法包括：

执行所述比特的至少一个参考读取操作，以读取所述比特中的至少一部分；以及

执行任何未通过所述参考读取操作成功读取的比特的自参考读取操作。

9.如权利要求8所述的方法，还包括：在所述自参考读取操作之前完成所述参考读取操作，以及防止对通过所述参考读取操作成功读取的比特的自参考读取操作。

10.如权利要求8所述方法，还包括：与所述自参考读取操作的一部分并行地完成所述参考读取操作，以及防止对于通过所述参考读取操作成功读取的比特的另一部分所述自参考读取操作。

11.如权利要求8所述的方法，其中所述自参考读取是破坏性自参考读取操作，并且所述破坏性自参考读取还包括，对于所述比特中的每一个：

跨所述比特施加读取偏置电压；

将通过所述比特的第一电流转换为栅极电压；

存储所述栅极电压；

施加第二电流以将所述比特复位到预定的状态；

跨所述比特重新施加所述读取偏置电压；

确定通过所述比特的第三电流；

通过比较所述第一电流与所述第三电流和偏移电流的和产生评估电压；以及

如果所述评估电压小于所存储的栅极电压，则施加第四电流以将所述比特写入成与所述预定的状态相反。

12.如权利要求8所述的方法，其中所述比特的平均低比特电阻或平均高比特电阻中的至少一个被用于所述参考读取操作。

13.如权利要求8所述的方法，其中所述参考读取操作使用可编程电流或可编程电压以用于参考。

14.如权利要求8所述的方法，其中所述参考读取操作包括，对于所述比特中的每一个：

跨所述比特施加读取偏置电压；

将通过所述比特的第一电流转换为栅极电压；

存储所述栅极电压；

利用对于低状态或高状态中一方的平均电阻产生输出电压；以及

将所述输出电压与所存储的栅极电压进行比较，以确定所述比特的状态。