[发明专利]三态门、包括三态门的电路和半导体结构有效
| 申请号： | 201280062011.1 | 申请日： | 2012-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN104040894B | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 理查德·费朗 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H03K19/094 | 分类号： | H03K19/094 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 吕俊刚;刘久亮 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 三态门、包括三态门的电路和半导体结构。本发明涉及一种三态门(1000，2000)，包括输出端(1400)和至少两个晶体管(1200，1300；2200，2300)，每一个晶体管都具有至少第一栅极和第二栅极，被配置为使得通过控制晶体管中的至少一个晶体管的阈值电压在输出端设置高阻抗值(Z)。 | ||
| 搜索关键词： | 三态 | ||
【主权项】：
1.一种三态门(1000，2000)，包括输出端(1400，2400)；和第一晶体管和第二晶体管(2200，2300)，每一个晶体管都具有至少第一栅极和第二栅极，所述第一晶体管和所述第二晶体管二者都具有连接到所述输出端的源极或漏极，并且被配置为经由它们各自的所述第二栅极通过控制这些晶体管(1200，1300，2200，2300)的阈值电压使得在所述输出端(1400，2400)设置高阻抗值(Z)，其中，所述第一晶体管是N型晶体管且所述第二晶体管是P型晶体管，或者所述第一晶体管是P型晶体管且所述第二晶体管是N型晶体管；和输入端(2100)，其连接到所述第一晶体管(2300)的所述第一栅极，其特征在于控制端(2900)连接到所述第二晶体管(2200)的所述第一栅极，其中，所述控制端(2900)被配置为启用或禁用从所述输入端(2100)到所述输出端(2400)的信号路径。
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