[发明专利]三态门、包括三态门的电路和半导体结构

权利要求书

1.一种三态门(1000，2000)，包括

输出端(1400，2400)；和

第一晶体管和第二晶体管(2200，2300)，每一个晶体管都具有至少第一栅极和第二栅极，所述第一晶体管和所述第二晶体管二者都具有连接到所述输出端的源极或漏极，并且被配置为经由它们各自的所述第二栅极通过控制这些晶体管(1200，1300，2200，2300)的阈值电压使得在所述输出端(1400，2400)设置高阻抗值(Z)，其中，所述第一晶体管是N型晶体管且所述第二晶体管是P型晶体管，或者所述第一晶体管是P型晶体管且所述第二晶体管是N型晶体管；和

输入端(2100)，其连接到所述第一晶体管(2300)的所述第一栅极，

其特征在于

控制端(2900)连接到所述第二晶体管(2200)的所述第一栅极，

其中，所述控制端(2900)被配置为启用或禁用从所述输入端(2100)到所述输出端(2400)的信号路径。

2.根据权利要求1所述的三态门，其中这些晶体管(1200，1300，2200，2300)的阈值电压被彼此独立地控制。

3.根据权利要求1所述的三态门，其中这些晶体管(1200，1300，2200，2300)是SOI晶体管。

4.根据权利要求3所述的三态门，其中利用背栅来控制所述阈值电压。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的三态门，其中这些晶体管(1200，1300，2200，2300)是完全耗尽型SOI晶体管。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的三态门，其中这些晶体管(1200，1300，2200，2300)是鳍式场效应晶体管。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的三态门，其中

所述第一晶体管(1200，2200)连接在电源端子(1500，2500)和所述输出端(1400，2400)之间，并且

所述第二晶体管(1300，2300)连接在接地端子(1600，2600)和所述输出端(1400，2400)之间。

8.一种包括三态门的电路，其包括根据前述任一权利要求所述的三态门。

9.一种半导体结构，具体地是实现根据权利要求8所述的电路的半导体晶圆和/或半导体芯片和/或半导体组件。